XRD技术在复合电镀中的应用.ppt

* 硅溶胶制成粉体的XRD图： (a)800℃烧结； (b) 500℃烧结； (c) 400℃烧结；（d）自然干燥 将硅溶胶在室温下自然干燥制成粉体和在不同烧结温度下研磨成的粉体，进行X射线衍射。在 X射线下衍射图谱中，可以发现在何种温度下其在低衍射角约为 24o（ 2θ）区都有一个非晶衍射峰，可以得出SiO2试样均为无定形结构，同时也说明了温度的不同对于SiO2的晶型和晶体结构无较大影响。 * 确定镀层晶体相的相对含量以判定反应程度 X射线衍射半定量相分析（QXRD）的根据是：混合物实验中各相对X射线衍射的强度随该相在混合物中含量的增减而增减。但因试样对X射线的吸收作用，使试样中某相含量与衍射强度的关系并不正好成正比，须进行吸收校正。 设包含n相的（n2）多相材料中第i组分某晶面的（hkl）X射线衍射强度为Ii，根据X射线和物质作用时衍射强度与物质特性的关系，可推导出：Ii=Cixi/ρiμm（式中xi为i组分在试样中的质量比，ρi为i组分的密度，μm为试样总的质量吸收系数，Ci为与仪器试验条件和组分性质有关的常数。）因此，在不考虑试样对X射线的吸收作用的条件下，特定相的特征衍射峰强度与该相在混合物中的含量大致成正比关系。据此可进行半定量相分析，以判定参与反应晶体相的反应程度。 * 在反应时间为1h、12h、1d 、3d、7d和28d 时，氢氧化钙晶体的衍射峰峰高随反应时间的增加而不断地降低，根据X射线衍射半定量法分析，说明氢氧化钙晶体含量在不断地降低，反应在不断地进行。在反应时间为12h的时候，就有迹量的反应产物水化硅酸钙凝胶衍射峰出现；在反应时间为3d的时候，氢氧化钙晶体的衍射峰峰高已明显降低，水化硅酸钙凝胶的衍射峰已明显存在；在反应到28d的时候，有少量的氢氧化钙还未反应完。 纳米SiO2与氢氧化钙的反应程度 随时间的变化规律XRD * 用XRD确定镀层晶粒的取向性（Orientation） 金属电沉积过程中的择优取向，是指在电沉积过程中相当数量的晶粒表现出某种共同的取向特征，如果晶粒的取向高度集中于某个方向，则称为高择优取向。 在金属电沉积过程中，晶体的择优取向会受到多种因素，如电流密度、镀液温度等的影响。对于纳米复合镀层，由于纳米粒子对基质金属结晶过程的影响程度远大于其它因素，纳米粒子的存在成为导致基质金属结晶取向发生变化的主要因素。 研究表明，在常规电沉积条件下获得的镍晶面为面心立方结构，其可能出现的衍射面有五个，即（111）、（200）、（220）、（311）和（222）晶面。 * 上图为在直流和脉冲两种电沉积方式下纯镍镀层的X射线衍射图通过计算可得，直流和脉冲电沉积纯镍镀层均在2θ为52°附近出现强的衍射峰，对应于面心立方镍晶格的（200）晶面，该晶面的织构系数TC(200)分别为97.51%和97.14%，这表明直流电沉积和脉冲电沉积纯镍镀层的择优取向均为（200）晶面。 镀层（hkl）晶面的择优取向程度由晶面织构系数TC(hkl)表征： 式中：I(hkl)为镀层试样（hkl）晶面的X射线相对强度，I0(hkl)为标准粉末（hkl）晶面的X衍射相对强度，n为衍射峰的个数。 当各衍射面的TC值相同时，晶面取向是无序的；如果某个（hkl）面的TC值大于平均值时，则该晶面为择优取向；晶面的TC值越大，说明择优取向程度越高。 * 直流电沉积纯镍镀层晶面的X射线衍射峰相对强度和织构系数 * 电泳--直流电沉积纳米复合镀层的 X 射线衍射谱与直流电沉积纯镍镀层的 X 射线衍射谱有明显变化，复合镀层中的基质金属在（111）、（200）、（220）和（311）晶面都有较强的谱峰出现。 * X 射线衍射图中有 Al2O3微粒较强的衍射峰存在，说明 X 射线衍射能够测出复合镀层中的第二相纳米粒子，这与采用共沉积工艺所制备纳米复合镀层中第二相纳米粒子的谱峰不能测到是完全不同的。 * 在纳米粒子含量为 14.8%时基质金属形成了（111）和（311）双织构，织构系数TC (111)和TC (311) 分别为 25.26%和 37.05%，表现为双择优取向。随着镀层中Al2O3含量的增加，沿（111）晶面的织构系数逐渐减小，而沿（311）晶面的织构系数逐渐增大，表现为仅在（311）晶面的择优取向。 * 由此可见，基质金属的择优取向与镀层中纳米粒子的含量有关，在电沉积过程中纳米粒子的存在会使得基质金属各晶面相对生长速率的差别变小，不再象纯镍镀层那样在（200）晶面出现相对极强的衍射峰；在纳米粒子抑制了（200）晶面生长的同时，也促进着（111）、（220）和（311）晶面的生长，使这几个晶面的择优取向程度有所增大。 纳米粒子的存在会不同程度地干扰金属镍的结晶过程，促使基质金属的择优取向产生变化。导致复合镀层组织结