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3.4 VMOS场效应管 与N沟道增强型MOS管的情况类似，在栅极-源极之间加正电压，当这一电压UGS大于某一电压（称为开启电压UGS(th)）时，栅极带正电荷，排斥P区的空穴，并吸引电子，在P区靠近V型槽氧化层表面的地方会形成反型层为VMOS管的导电沟道。栅极电压通过导电沟道的调节控制漏极电流，于是就实现了栅极电压对于漏极电流的控制。 2、工作原理 3.4 VMOS场效应管 VMOS管从原理上看，也是利用栅极的正电压形成电子组成的反型层作为导电沟道，栅极电压通过导电沟道的调节控制漏极电流，这和N沟道增强型MOS管相同 不同的是N沟道增强型MOS管的导电沟道沿着衬底的表面，是很薄的一层，因此通过的电流比较小；VMOS管的导电沟道沿垂直方向，能流过很大的电流，而且漏极从N+型衬底引出，散热面积大，便于安装散热器，其耗散功率最大可以达到几千瓦。 VMOS管与N沟道增强型MOS管比较 3.4 VMOS场效应管 注意其纵轴漏极电流iD的单位是安培，横轴漏-源极电压uDS也较高，达100伏，因此有较大的功率。 3、特性曲线及主要参数 除了耗散功率大以外，VMOS管的另一个特点是，当漏极电流大于某个值（例如500mA）以后，iD与uDS基本呈线性关系。N沟道MOS管的特性曲线，其漏极电流iD与漏-源极电压uDS的关系是平方关系。 VMOS管的主要参数有开启电压、漏源击穿电压、最大漏极耗散功率等，其定义和前面介绍的MOS管一样。 第3章讲授到此结束 谢谢大家！ 实用模拟电子技术教程 主编：徐正惠 副主编： 刘希真 张小冰 第一篇 常用半导体器件 介绍常用半导体器件，包括晶体二极管、晶体三极管、场效应管和其他半导体器件的结构、工作原理、分类、主要性能指标、国家标准规定的命名方法以及主要应用。 第3章半导体场效应管 学习要求： 了解场效应管的分类；掌握结型场效应管的结构、输出特性曲线可变电阻区、恒流区和夹断区的划分以及夹断电压、饱和漏极电流和跨导等主要参数的定义；掌握N沟道增强型绝缘栅场效应管输出特性曲线三个区域的划分和开启电压、跨导等主要参数的定义；了解上述两种场效应管漏极电流和栅-漏极电压之间的关系；学会根据栅极电压及夹断电压（开启电压）求解漏极电流的方法。 第一篇 常用半导体器件 场效应管分为两大类： 3.1 场效应管的分类 结型场效应管:简称JFET，是英文Junction type Field Effect Transistor的缩写。 绝缘栅型场效应管:由金属-氧化物（二氧化硅）-半导体组成，这些材料的英文是Metal-Oxide-Semiconductor，其缩写为MOS，因此，绝缘栅型场效应管也称MOS管。 按照工作方式的不同，结型场效应管和绝缘栅型场效应管又分为Ｎ沟道和Ｐ沟道两类，Ｐ沟道和Ｎ沟道绝缘栅型场效应管又有增强型和耗尽型之分。1975年以后，又开发了垂直导电型的MOS管，称为VMOS管。因此，场效应管的分类可以用下面的图表示。 3.1 场效应管的分类 1、结构 3.2 结型场效应管-3.2.1 结型场效应管的结构和工作原理 结型场效应管分N沟道和P沟道两种，右图是N沟道结型场效应管的结构示意图。 结构特点： *有两个PN结，图中划斜线的部分为两个PN结的空间电荷区（耗尽层）； *两个空间电荷区之间为N型区，称为N沟道。 *两个P型区引出电极并连接在一起，称为栅极G，N型半导体的两端各引出一个电极，分别称为漏极D和源极S。 电路符号： 2、空间电荷区的两个性质 3.2 结型场效应管-3.2.1 结型场效应管的结构和工作原理 讨论结型场效应管工作原理之前，首先复习PN结空间电荷区的两个重要性质： （1）空间电荷区内没有可自由移动的电荷，因此不能导电； （2）空间电荷区的宽度会 随PN结两端所加电压的大小 而变化。 3、场效应管工作原理 3.2 结型场效应管-3.2.1 结型场效应管的结构和工作原理 首先讨论栅极开路时的情况：在场效应管漏极D和源极S之间加上正电压VDD ，由于空间电荷区没有可以移动的电荷，电流仅在N型区流动，因此将N型区称为导电沟道。栅极开路情况下，整个场效应管相当于一个电阻，这一电阻的大小就决定于N区（导电沟道）的宽度。 3、场效应管工作原理 3.2 结型场效应管-3.2.1 结型场效应管的结构和工作原理 栅极加上负电压时 ：两个PN结反向偏置，根据前面所说的PN结性质，两个PN结的空间电荷区便会扩大，图(b)虚线画出了扩大后的空间电荷区。空间电荷区的扩大，缩小了导电沟道，增加了漏源之间的电阻，