电解电容器低压阳极箔的质量控制.pdfVIP

第 39卷 第5期 有色金属加工 VOI．39 No．5 2010年 10月 NONFERROUS METALS PROCESSING October2010 电解 电容器低压阳极箔的质量控制 潘学民，蔡 建，王 忠 (山西关铝股份有 限公 司，山西运城 044001) 摘 要 ：阐述 了电解 电容器用高纯铝低压阳极箔化学成份选择的控制 ，各T序工艺参数 的选择和生产过程质 量控制 ，讨论 了加工工艺对最终产品质量 的影响，并制定相应 的技术手段 ．保证产品质量 的稳定提高 。 关键词 ：低压箔 ；铸坯 ；生产过稃 中图分类号 ：TG333．7+2 文献标识码 ：A 文章编号 ：1671—6795(2010)05—0030—03 铝电解 电容器是重要的电子元件 ，因其优 良的性 1．2 Sl 能，可靠的质量广泛地应用于电器产品中。近年来， 高纯铝 中的 si主要 以固溶态存在，析 出能力较 我国对 电容器铝箔的需求量增长迅速 。预计 20l6年 弱 ，与高纯铝中的Fe在一定条件下形成Al—Si—Fe三元 达到4万吨／年。其 中低压阳极箔 占30％左右。市场 化合物。此化合物 的析 出，可 降低 Fe的固溶饱和程 前景广阔，产品附加值高 ，具有较大的发展空间。 度 ，有利于立方织构 的形成。当含量过高时会形成单 我公司生产低压箔有近十年的历史 ，但是由于用 质 si的析出物 ，对再结 晶过程有影响，对立方织构形 户在腐蚀过程中质量不稳定 ，化成箔 比容不稳定 ，加 成也不利 ，一般低压箔 Si控制在23ppm左右。 之生产过程中成品率低等因素影响其发展。为此 ，通 1．3 Mg 过对生产过程进行全方位的质量控制，解决化成箔的 Mg对低压箔 的立方织构影响不大 ，但对铝箔 的 质量 问题 。 腐蚀结构以及化成箔的腐蚀速度有较大的影响，一般 低压箔 Mg含量控制在 20～25ppm左右。 l 化学成份控制 1．4 Cu cu在高纯铝中，可提高低压箔的比电容 ，cu元素 低压阳极电容铝箔 (俗称低压箔)的纯度要求达 含量的高低会影响铝箔的再结 晶的过程及最终立方 到99．99％，Fe、Si、Cu、Mg等微量杂质元素的存在影 织构的含量 ，但 cu元素含量过高 ，易产生粗大 的腐蚀 响铝箔的内部组织以及立方织构的含量 ，最终表现在 凹坑，形成过量腐蚀 ，影响 比容的稳定性，一般低压箔 影响铝箔的比容。因此 ，为稳定 比容 ，在 电解 电容器 cu元素含量控制在 40ppm左右 。 低压箔的生产过程中，应有效控制各种杂质元素的含 1．5 其他杂质应控制 5ppm 以内，其作用不再论述 。 量，以减少杂质对低压箔比容不稳定的不利因素。 1．1 Fe 2 铸坯 的质量控制 Fe是高纯铝中最显著的杂质元素，其含量和存在 状态对低压箔再结晶立方织构有很大的影响，直接影 2．】 铸坯 的质量要求 响到电解 电容器的比容 。固溶在铝基体中的Fe含量 低压箔铸坯 的生产方式采用半连续铸造工艺。 增大会消弱加工后的立方织构 ，使得阳极箔静 电容量