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第 10卷，第 10期 电 子 与 封 装 总 第 9O期
Vo1 10 N0 l0
． ． ELECTR0NICS PACKAGING 2010年 10月
微 电_I子 箭 造，-与 、可 靠 性
，
圆片清洗过程中静 电控制
李云海，李欣燕，章 文，丁荣峥
(无锡中微高科电子有限公司，江苏无锡214035)
摘 要 ：随着半导体技术的不断发展，对集成 电路封装过程 中的静 电控制要求也越来越高。传统
清洗机清洗 圆片时，通常会产生大量 的静 电电压 ，可能引起芯片失效、损伤造成漏 电流增大从而
导致 电路的损坏 。如何 降低清洗机清洗圆片时产生的静 电电压 ，对减少封装过程 中因ESD引起的
芯片失效有着比较重要的意义。为此我们利用高压喷雾旋转清洗机针对圆片清洗这个步骤进行 了
一 系列的试验 。文中涉及控制清洗液的电阻率，并尝试改变清洗过程 中的相关清洗条件，最终达
到封装过程中要求的±200V的静电控制要求。
关键词：清洗；静 电损伤 ；静 电防护
中图分类号：TN305．94 文献标识码：A 文章编号：1681—1070 (2010)10．0028．03
ElectrostaticProtectintheProcessofSiliconW aferCleaning
LIYun—hai，LIXin—yan，ZHANG Wen，DING Rong—zheng
(WuxiZhongweiHigh—techElectronicsCo．，Ltd．，Wuxi214035，China)
Abstract：W iththedevelopmentofsemiconductortechnology,therequirementofelectrostaticprotectonIC
packagingalsobecomesmoreandmorestrict。Traditionalcleanercleaningsiliconwaferwillalwaysbringin
electrostaticvoltage．Howeveritwilleasilycausechipdefectorevendamage．How toreduceelectrostatic
voltageintheprocessofcleanercleaningsiliconwaferhasagreatmeaningondecreasechipdefectduringthe
assemblyprocesscausedbyESD．Experimentsweredoneinthispaperbycontrollingtheresistantofthe
cleaningwaterwiththecyclingwafercleanerwhichhashighpressureofspray．Cleanconditionwasalso
changed，andfinallyachievedtheelectrostaticprotectstandard ±200V duringpackageprocess．
Keywords：cleaning；electrostaticdamage；electrostaticprotect
经过试验和分析 ，确认电路是在封装过程中受
1 引言 到了一定程度的静 电损伤。电路工作电压不高时，这
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