外加磁场下真空沿面闪络特性数值模拟.pdfVIP

第 22卷第 10期 强 激 光 与 粒 子 束 Vo1．22，No．10 2010年 10月 HIGH POW ER IASER AND PARTICLE BEAMS Oct．。2010 文章编号 ：2010)10—2501—04 外加磁场下真空沿面闪络特性数值模拟 刘 瑜， 邓建军， 王 勐， 邹文康， 周 良骥 (中国工程物理研究院 流体物理研究所 ，四川 绵阳 621900) 摘 要 ： 以单粒子模型和带电粒子运动方程为基础 ，采用蒙特卡罗方法 ，编写了真空沿面 闪络过程计算 程序 ，研究了外加磁场对真空沿面闪络过程的影响，主要是对二次 电子发射及 电子束 的雪崩运动的影响。研究 表 明：外加磁场的存在 ，改变 了绝缘体表面 电子 的运动 ，进而影响到绝缘体表面电荷的分布 ，从而在宏观上对绝 缘体 的耐受电压产生影响 ；外磁场抑制真空沿面 闪络 的效果与磁场 的空间分布有关 ，磁场加在 阴极 附近时产生 的效果优于加在阳极附近 。 关键词 ： 真空沿面闪络 ； 临界磁场 ； 面 电荷密度 ； 二次 电子发射系数 中图分类号 ： TM839 文献标志码 ： A doi：i0．3788／HPLPB2O102210．2501 真空沿面闪络是发生在绝缘体与真空界面上的一种放电现象，在真空绝缘设计中，由于绝缘体与真空界面 的沿面闪络电压 比相同距离下真空击穿 电压和绝缘材料体击穿电压低很多，因此 ，真空固体绝缘界面往往是脉 冲功率系统中的最薄弱环节 ，也是国内外绝缘研究的重点 。沿面闪络一般分为以下 3个阶段_l1]：初始电子形成 阶段、电子倍增阶段和形成贯穿性导电通道阶段 。目前 ，对真空沿面闪络的机理存在阳极激发、阴极激发等多 种假说 ]，其 中被广泛认可的模型是 Boersch提出的二次电子发射雪崩 (SEEA)模型l3j，但无论哪一种假说 ， 都把绝缘体表面的二次电子发射和雪崩运动作为沿面闪络的重要原 因进行研究。为了避免沿面闪络，J．P。 VanDevender曾提出了磁场闪络抑制 (MFI)的概念_l5]，在绝缘体表面施加外加磁场，当磁场 的位形是有利于电 子离开绝缘体表面时，只要磁场达到某一临界值 ，电子就会在洛仑兹力作用下偏离原来 的运动轨迹 ，不撞击绝 缘体表面，从而阻止二次电子崩的发展 ，达到抑制真空沿面闪络、提高沿面耐受电压的 目的。 目前真空沿面闪 络的数值模拟研究尚未考虑磁场影响 ]，本文通过定量研究外加磁场和表面 电荷密度的相互关系 ，得到抑制沿 面闪络的临界磁场与外加 电场的变化规律 ，为真空沿面的绝缘设计提供参考。 l 磁场闪络抑制理论 从真空沿面闪络的一般性描述可 以看出，SEEA是形成闪络的关键 ，若能抑制 SEEA过程 的发展 ，就可 以 避免沿面闪络 ，MFI就是基于此原理。定义临界磁感应强度 B 为 ：当外加磁场达到临界值时，即使还有初始 电子产生和二次电子过程发生 ，绝缘体表面电荷分布将不再发生变化 ，表面电荷密度达到饱和。简单 的说 ，临 界磁场的存在使得到达绝缘体表面的电子能量收敛到某一个特定值 ，该能量值对应的二次电子发射系数为 1， 初始电子及其二次电子在运动到阳极过程不造成绝缘体表面电荷的变化 。临界磁感应强度表达式为 B 一 (1．6x (1) 式中： 为从绝缘体上发射的二次电子 的初始速度 ，对应初始能量为 。； 为二次电子发射率为 1时的电子 速度，对应碰撞能量为W ；E。为外加电场强度 。 2 基于单粒子模型和蒙特卡罗方法的沿面 闪络模拟计算方法 以单粒子模型为基础 ，在假设绝缘体表面有一定数 目的电荷分布条件下 ，计算二次电子运动过程。程序假 设每一个从三相点发射的初始电子具有相同的能量和方 向，以一个初始电子及其引发的二次 电子运动到阳极 或边界作为一个计算周期 。 每一个计算周期 中，电子从三相点发射后 ，受 电场 (外加 电场与 电荷附加 电场合成)和磁场 的共同作用运 动，电子将作E×B漂移 。当电子到达绝缘体表面时 ，将在表面碰撞产生二次电子 ，二次 电子方向符合余弦分布 ， *