超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路.PDFVIP

维普资讯 第 22卷第 3期 半 导 体 学 报 V01．22，No．3 200i年 3月 CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORS Mar．，2001 超高速双层多晶硅发射极晶体管及 电路 张利春 高玉芝 金海岩 倪学文 莫邦燹 宁宝俊 罗 葵 叶红飞 赵宝瑛 张广勤 (北京大学擞 电子学研究所 t北京 100871) 摘要 报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究．这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基 础上进行了多项改进，主要集中在第一层多晶硅的垂直捌蚀和基区、发射区之间的氧化硅、氮化硅复合介质的L 型侧墙形成技术方面 ，它有效地减小了器件的基区面积．测试结果表 明，晶体管有 良好的交直流特性．在发射 区 面积为 3~／mX8a／n时，晶体管的截止额率为 6．1GI-lz．i9级环振平均门延迟小于 40ps，硅擞波静态二分频器的工 作频率为 3．2GHz． 美t词：双层多晶硅；复合介质L型侧墙 EEACC 2550；2560J 中圈分类号：TN405 文■标识码 ：A 文章蛐号：0253-4177(2001)03—0345—05 属化条宽、条距与单层多晶硅相同时，器件基区面 引言 积仅为单层多晶硅器件的46 ，有源区面积减小为 原来的72 ．采用这种工艺流程 ，已经研制出发射 在超高速集成 电路领域中硅双极技术占有重要 区光刻尺寸为 3m×8#m，特征频率为 6．1GHz的 的地位，这是因为双极器件 比MOS器件具有更强 硅双极晶体管 ，平均 门延迟小于40ps的19级环形 的驱动能力 ，更大的跨导和更快的速度．而先进的 振荡器以及工作频率为 3．2GHz的硅微波静态二分 硅双极器件大都采用双层多晶硅发射极结构[1]．与 频器． 单层多晶硅发射极双极器件相 比，双层多晶硅结构 具有以下优点：其一 ，采用高掺杂的多晶硅做外基 2 双层多晶硅晶体管的工艺制作 区的引线 ，基极金属电极外移到有源 区外 的场区氧 化层上 ，使有源区面积减小，而金属接触 区可以做 双层多晶硅晶体管 的结构剖面图如图 1所示． 得很大；其二，发射区宽度不完全由光刻所能达到 图2是制作双层多晶硅晶体管及电路的工艺流程方 的最小线宽所决定．通过调整佣墙的宽度 ，可以改 框 图．在工艺 中我们采用 了深槽 隔离 ]、浅结薄基 变发射区的宽度 ，在相同的光刻最小线宽条件下 ，可 区、自对准结构、钴硅化物技术 以及 L型复合佣 以将发射区做得更小．由于两层多晶硅之间有介质 墙 等 国际上先进技术 ，制备出性能良好的双层多 隔离 ，可使发射极宽度远大于发射区的宽度 ，形成 晶硅 自对准双极晶体管及电路．其 中硅微波静态二 T型发射极结构 ，降低了发射极 电阻，提高了器件的 分频器和 19级环振的电路设计见文献[9]． 成品率和可靠性．实现双层多晶硅器件结构有多种 由于双层多晶硅工艺流程较长，为保证工艺过 工艺方法 “]，结合我们已研制成功的单层多晶硅发 程的稳定性和连贯性 ，我们对双层多晶硅单项关键 射极晶体管工艺_5_，开发了双层多晶硅晶体管的工 工艺进行了重点研究． 艺．由于 自对准技术的采用 ，在光刻最小线宽、金 张利春 男．1939年出生，教授 ，博士生导师，目前主要从事多晶硅发射极超高建集成 电路和 SiGe异质结器件研究． 高玉芝 女，1939年出生，教授t目前主要从事多晶硅发射极超高速集成电路和GeSi异质结器件工艺研究． 盒簿岩 男