单片微型计算机课件 第2章(第三版)徐惠民.ppt

第二章 微型计算机的存储器作用：存放指令和数据地址：n条地址线  2n个存储器单元容量： 2n ×位数（8，16，32位）单位：1 byte = 8 bit 1 word = 16 bit 1 KB = 210 byte  1 MB = 210 KB 译码方式比较 * 2.1 ROM 1.掩膜编程ROM 根据用户要求在工厂写 2.现场编程ROM(PROM) 根据用户要求在现场写 3.可改写、可编程ROM UVEPROM 紫外线擦除 电写 EEPROM 电写 电擦 地址译码器 输出缓冲器 存储矩阵 2n×m … … … … A0 A1 An-1 D0 D1 Dm-1 图2.1 ROM的基本结构框图 CE OE CE OE Vcc CE / PGM A10 OE A7 2716 EPROM A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 O0 O1 O2 GND 1 3 5 7 9 11 24 22 20 18 16 14 O7 O6 O5 O4 O3 Vpp A8 A9 高阻抗 低 高 +25 +5 编程禁止 数据输出 低 低 +25 +5 程序检验 数据输入 脉冲 高 +25 +5 编 程 高阻抗 高 无关 +5 +5 维 持 数据输出 低 低 +5 +5 读 出 输出值 CE/PGM OE Vpp(V) Vcc(V) 引脚 状态 方式 图2.5 2716的引脚排列 表 2.1 2716的工作方式 2.2 RAM 1.静态RAM 有电保持，内部复杂，集成度低 2.动态RAM 有电刷新，外部刷新，集成度高 3.Flash存储器 图2.6 2128的引脚排列 表 2.2 2128的工作方式 Vcc CE A10 OE A7 2128 SRAM A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I0 /O0 GND 1 3 5 7 9 11 24 22 20 18 16 14 I7/O7 WE A8 A9 I1 /O1 I2 /O2 I6/O6 I5/O5 I4/O4 I3/O3 数据输入 低 低 任意 写入 数据输出 低 高 低 读出 高阻抗 低 高 高 输出禁止 高阻抗 高 任意 任意 未选中 D CE WE OE 引脚 状态 方式 2.3 存储器的组成与扩展 2.3.1 芯片的选择 1.类型选择 ROM: 掩膜ROM PROM UVEPROM EEPROM RAM: 静态RAM 动态RAM Flash 2.容量选择 2716 2 Kbyte 27512 64 Kbyte 3.存储器的存取时间与CPU速度的匹配 CPU速度：送出地址有效到送出读写信号 存取时间：读取时间（较长）、写入时间 读取时间： CPU地址有效到存储器数据稳定 地址有效 读完成 C P U 信号 存储器最大读取时间Tr Fs=20M Ts=50ns Tr=200ns 存储器1 Tr=100ns 适合 存储器2 Tr=210ns 不适合 2.3 存储器的组成与扩展