半导体光学11调制掺杂MQW与超晶格SL.pdf

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2017-12-03 发布于浙江
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▲▲调制掺杂MQW与超晶格SL 仅由一种半导体组成,n与p掺杂层由本征半导体层隔开.D 0  D   e.A 0  A   h . 产生空间间接跃迁. 2.准一维系统（量子线） ①构成：两维受到限制. ②能带 ●y z方向运动受到限制, 3nm  L  10nm ,20nm  L  50nm . z y y z方向能量量子化. 2 2   k   x E k E  , x n ,n y z 2m e ,h 2 2 n 2 2    n  y z  E ny ,nz E ny  E nz 2  2 , 2me ,h Ly Lz    n ,n 1,2,3, E n  E n . y z y z ●●与均匀磁场中电子比较磁场沿x轴方向, 2 2   1  kx eB   E k n    , .  2 c 2m c m y,z方向能量量子化. 其中朗道能级为   能级间等间隔. E n  1 2  ， n c 而量子线中,能级间非等间隔. ▲态密度分布 B  0 3. 准一维系统（量子点d=0） ①模型  Li Li  0,   x ,y ,z   2 2   V r  L