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半导体元件量测模拟
MOS C-V Characteristics
考慮電子／電洞在反轉區和累積區的分佈 。這些分佈是由解Schroedinger和
Poisson 方程式自洽 （self-consistently ）得來的 。
Fermi －Dirac分佈使用矽 （100）面的物理參數 。
fid1=fopen(cvdata,w); % Initialize output file; first arg is filename
T = 300; % temperature (K)
Ns =9E17; % Substrate doping concentration (cm^-3)
%(-/+ for n/p-type);
Tox=28E-8; % Oxide thickness (cm)
pd = 1; % consider poly depletion? 1: yes 0: no
Npoly=-2.2e20; % Poly doping (- means n-type; + means p-type)
Vfb=99; % 99 means autocalculate, else uses value
% autocalculate uses Npoly and Ns (see below)
% For metal gate, please input Vfb here
Dvc= 1e-4; % small signal voltage for capacitance
np=sign(Ns); % (do not edit this line) n-sub or p-sub
Vstart=(-1)*np*0.3; % Silicon Voltage: start (accumulation)
Vend=np*1.4; % Silicon Voltage: end (inversion)
Nvstep=20; % number of voltage steps
NMOS
PMOS
cvdata
將cvdata以Origin作圖
1.2 1.2
1.0 1.0
]
2
m 0.8 0.8
c ]
/ 2
F m 0.6
0.6 c
[ /
g F
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