半导体的掺杂特性.PPT

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
半导体的掺杂特性

半导体的奇妙特性 北京电子信息高级技工学校 伍丽萍 一、半导体的热敏效应 二、半导体的光敏效应 三、半导体的掺杂效应 半导体的奇妙特性 当温度升高时,半导体本征激发加剧,导电能力就显著地增强。当温度下降时,半导体复合现象增多,导电能力就显著地下降。 一、半导体的热敏效应 半导体的奇妙特性 当光线照射在某些半导体时,半导体本征激发加剧,导电能力增强; 当没有光线照射时,半导体复合运动增多,导电能力减弱,这种特性称为“光敏”特性。 二、半导体的光敏效应 半导体的奇妙特性 三.半导体的掺杂特性 1.N半导体 在硅或锗晶体中掺入少量五价元素(如磷),该原子最外围五个价电子,四个价电子与相邻的半导体原子形成共价键,多出的价电子几乎不受束缚,易激发成为自由电子,而失去价电子的磷原子则成为带正电的离子,如下图1所示。N型半导体内部结构可简化成图2。 半导体的奇妙特性 图1 N型半导体内部结构图 图2 N型半导体简化图 半导体的奇妙特性 三.半导体的掺杂特性 1.N半导体 在N型半导体中,载流子有掺杂产生的自由电子,还有本征激发产生的自由电子和空穴对,故N型半导体中自由电子作为载流子占多数,称为多子;空穴相对自由电子数少一些,称为少子。掺杂产生的自由电子和正电离子,本征激发产生的自由电子和空穴,都是成对产生的,所以虽然带负电的自由电子是多数载流子,但N型半导体本身不带电。 半导体的奇妙特性 三.半导体的掺杂特性 1.N半导体 在硅或锗晶体中掺入少量三价元素(如硼),最外层三个价电子,与相邻四个半导体原子形成共价键时少一个电子,对其它价电子有很强的吸引力,相当于空穴,当它吸引一个价电子到来时,在其它位置就产生了一个空穴,而三价元素因为吸引了一个价电子成为带负电的离子,如下图3所示。所以在P半导体中每掺入一个3价元素,必然会产生一个空穴和带负电离子对,故P型半导体内部结构可简化成图4。 半导体的奇妙特性 三.半导体的掺杂特性 2.P半导体 图3 P型半导体内部结构 图4 P型半导体简化图 半导体的奇妙特性 三.半导体的掺杂特性 1.P半导体 在P型半导体中载流子有掺杂产生的空穴,还有本征激发产生的自由电子和空穴对,故P型半导体中多子为空穴,少子为自由电子。同N型半导体,P型半导体本身也不带电。 半导体的奇妙特性 半导体的奇妙特性

文档评论(0)

xiaozu + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档