数电-第3章.pptVIP

第三章 门电路 3.1 概述 3.2 半导体二极管门电路 3.3 CMOS门电路 3.5 TTL门电路 3.1 概述 3.1 概述 3.1 概述 3.1 概述 3.2 半导体二极管门电路 3.2 半导体二极管门电路 3.2 半导体二极管门电路 3.2 半导体二极管门电路 3.2 半导体二极管门电路 电平有偏移 带负载能力差 只用于IC内部电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 增强型 耗尽型 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.3 CMOS门电路 3.5 TTL门电路 一、双极型三极管的结构 管芯 + 三个引出电极 + 外壳 3.5 TTL门电路 3.5 TTL门电路 3.5 TTL门电路 3.5 TTL门电路 3.5 TTL门电路 3.5 TTL门电路 3.5 TTL门电路 3.5 TTL门电路 3.5 TTL门电路 三极管的基本开关电路就是非门 在实际应用中，为了保证 VI=VIL时T可靠截止，常在 输入接入负压。 3.5 TTL门电路 3.5 TTL门电路 3.5 TTL门电路 3.5 TTL门电路 3.5 TTL门电路 3.5 TTL门电路 3.5 TTL门电路 3.5 TTL门电路 3.5 TTL门电路 3.5 TTL门电路 3.5 TTL门电路 负载电阻RL的计算： n为并联OD门的数目，m为负载门电路高电平输入电流的数目。 若每个OD门输出管截止时的漏电流为IOH，负载门每个输入端的高电平输入电流为IIH，要求输出高电平不低于VOH，则得到： 若OD门允许的最大负载电流为IOL(max)，负载门每个输入端的低电平输入电流为IIL，此时的输出低电平为VOL，则应满足： m’为负载门电路低电平输入电流的数目。 因此应取： 三、 CMOS传输门及双向模拟开关 1. 传输门 2. 双向模拟开关 四、三态输出门 三态门的用途 3.5.1 半导体三极管的开关特性 基区薄 低掺杂 发射区高掺杂 集电区低掺杂 二、三极管的输入特性和输出特性 三极管的输入特性曲线（NPN） VON ：开启电压 硅管，0.5 ~ 0.7V 锗管，0.2 ~ 0.3V 近似认为: VBE VON iB = 0 VBE ≥ VON iB 的大小由外电路电压，电阻决定。 三极管的输出特性 固定一个IB值，即得一条曲线， 在VCE 0.7V以后，基本为水平直线。 特性曲线分三个部分： 放大区：条件VCE 0.7V, iB 0, iC随iB成正比变化， ΔiC=βΔiB。 饱和区：条件VCE 0.7V, iB 0, VCE 很低，ΔiC 随ΔiB增加变缓，趋于“饱和”。 截止区：条件VBE = 0V, iB = 0, iC = 0, c—e间“断开” 。 三、双极型三极管的基本开关电路 只要参数合理： VI=VIL时，T截止，VO=VOH VI=VIH时，T导通，VO=VOL 工作状态分析： 四、三极管的开关等效电路 截止状态 饱和导通状态 五、动态开关特性 从二极管已知，PN结存在电容效应。 在饱和与截止两个状态之间转换时，iC的变化将滞后于VI，则VO的变化也滞后于VI。 六 、三极管反相器 参数合理？ VI=VIL时，T截止，VO=VOH VI=VIH时，T截止，VO=VOL 3.5.2 TTL反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 设 二、电压传输特性 二、电压传输特性 二、电压传输特性 需要说明的几个问题： 3.5.5其他类型的TTL门电路 一、其他逻辑功能的门电路 1. 与非门 * * 门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路。 如：与门、与非门、或门 ······ 门电路中以高/低电平表示逻辑状态的1/0 获得高、低电平的基本原理 单开关电路 双开