基于标准CMOS工艺的非接触式保护环单光子雪崩二极管.PDFVIP

第 卷第 期 光 子 学 报 47 1 Vol.47No.1 年 月 2018 1 Januar2018 ACTAPHOTONICASINICA y : / doi10.3788 zx0125001 g 基于标准CMOS工艺的非接触式保护环 单光子雪崩二极管 1 1 2 1 , , , 吴佳骏 谢生 毛陆虹 朱帅宇 ( , ) 1天津大学 微电子学院 天津市成像与感知微电子技术重点实验室 天津 300072 ( , ) 2天津大学 电气自动化与信息工程学院 天津 300072 : , 摘 要 基于深亚微米 工艺 设计了一种采用非接触式 阱保护环来抑制边缘击穿的单光子雪 CMOS P 崩二极管结构 采用器件仿真软件 分析了保护环间距对器件的电场分布和雪崩触发概率 . SilvacoAtlas , , 等特性的影响 结合物理模型计算了所设计器件的暗计数概率和光子探测效率 仿真和计算结果表明 . -11 , , 保护环间距 时器件性能最优 此时击穿电压为 暗电流为 在过偏压为 d=0.6 m 13.5V 10 A. 2.5V μ , , , 时 门控模式下的暗计数概率仅为0.38% 器件在 400~700nm之间具有良好的光学响应 500nm时的 峰值探测效率可达 39%. : ; ; ; ; ; ; 关键词 光电器件 单光子雪崩二极管 工艺 深 阱 保护环 响应度 光子探测效率 CMOS n 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN364 A 1004-4213201801-0125001-6