EEPROM写入库说明.docxVIP

问题描述:当高性能电容的时间(根据 CPU 类型不同而不同)用完，或者电池模块过期(200天)，修改过的参数就会丢失。使用以下程序库所提供的子程序，可以在 CPU 中的内部 EEPROM 中保存完整的变量区域，在运行期内该区域是不易失的(在系统手册中仅说明了保存单个变量)。 软件要求：此操作程序库使用需要 STEP 7 Micro/WIN? V4.0 SP7 或者更高的版本 。 警告：当 CPU 启动时，包含 DB (数据块)的存储卡不可以被插入。如果包含 DB 的存储卡被插入，CPU 会读出存储卡的内容而不是去读内部 EEPROM，同时存储数据被错误的写回。 合并和使用库：将下载的文件“store_to_eeprom.zip”保存在电脑上。 在独立的目录下解压文件“store_to_eeprom.zip”。 双击开始解压的 STEP 7 Micro/WIN 库 “store_to_eeprom.mwl”。 在 STEP 7-Micro/WIN 对话栏中打开确认集成的库。增加的?“EEPROM (v1.0)”文件夹中包含了子程序“EEPROM_Direct”和 “EEPROM_Indirect”。 图：01 使用子程序：在网络中从文件夹“EEPROM (v1.0)”插入所需要的子程序。 根据例程中的参数列表给所选子程序分配输入输出参数。使用适当的逻辑连接，以确保在执行期间程序执行触发输入位“Start”保持为1 (高)。 更多的信息也可以在子程序的注释中得到。. 注意：不能以很高的频率在 EEPROM 上保存数据。EEPROM 典型的存储次数为100,000次。如果超过这个值，CPU 将发生故障。 如果按小时在 EEPROM 上保存数值，那么 EEPROM 的预计使用寿命是 11 到 12 年。 起始地址为直接寻址“EEPROM_direct”例程：?图：?02? 参数变量类型说明ENBOOL必须始终为1(高)StartBOOL上升沿 (0 -1)触发程序运行；必须保持1 (高) 直到 BUSY?位变成 0 (低)。V_StartINT偏移量指定(起始地址)。例如，200=VB 200LengthINT从偏移量(起始地址)开始待保存的字节数MemoryINT用于子程序的临时存储区BusyBOOL过程状态 1 (高)，程序在运行中DoneBOOL结束状态 1 (高)，成功完成保存表： 01 起始地址为间接寻址“EEPROM_indirect”例程：　图： 03? 参数变量类型说明ENBOOL必须始终为1(高)StartBOOL上升沿 (0 -1)触发程序运行；必须保持1 (高) 直到 BUSY?位变成 0 (低)。AddressDWORD指定起始地址偏移量(起始地址以DWORD类型变量读入)LengthINT从偏移量(起始地址)开始待保存的字节数目MemoryINT用于子程序的临时存储BusyBOOL过程状态 1 (高)，程序在运行中DoneBOOL结束状态 1 (高)，成功完成保存表：02 程序测试：程序运行后， 删除可保持的 V 变量并将存储的数据装载回 CPU。? 序号.解释1删除数据：由路径“View Component System Block”到“System Block”选择“Retentive Ranges”表。 图：04 选择数据范围，输入起始地址和范围。点击“Clear”按钮。 例程如下图显示：? ?图：?052装载数据：? 停止CPU。 启动CPU。启动 CPU 时，存储数据从 CPU 的内部 EEPROM 中被写入存储器。表： 03 补充说明：关于在STEP 7 Micro/WIN 中插入库的信息见条目号 STEP 7 Micro/WIN V4.0 的 SP7 免费下载地址的条目号:.下载：?store_to_eeprom.zip( 4 KB ) 关键字：SMB31, SMW32