半导体5 半导体器件PN结.pptVIP

主要内容 §5.2.1 PN结及其能带图 §5.2.2 PN结电流电压特性 §5.2.3 PN结电容效应 §5.2.4 PN结击穿 §5.2.5 半导体二极管的结构与 主要参数 正向偏压时 反向偏压时 §5.2.3 PN结电容效应 一、pn结电容的来源 5.2.4 PN结击穿 5.2.5 半导体二极管的结构与主要参数 二极管的应用范围很广，主要都是利用它的单向导电性。它可用于整流、检波、元件保护以及在脉冲与数字电路中作为开关元件。 举例说明。 例3 在图所示的两个电路中，已知ui=30sinωtV，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压u0的波形。 稳压二极管 光敏二极管 发光二极管 1. 稳压二极管 结构和工作原理 稳压的符号与稳压电路 伏安特性与稳压原理 主要参数 结构和工作原理 稳压的符号与稳压电路 伏安特性与稳压电路 稳压管的伏安特性曲线的反向击穿特性比普通二极管的要陡些。 主要参数 稳定电压UZ——稳压管在正常工作时管子两端的电压。（其数值具有分散性） 稳定电流IZ——是指稳压管在正常工作时的参考电流。低于此值稳压效果差。在不超过额定功率的前提下，高于此值稳压效果好，即工作电流越大稳压效果越好。 主要参数 电压温度系数αZ——电压温度系数是指稳压管的稳压值受温度变化的影响的系数。 主要参数 动态电阻rZ——动态电阻是指稳压管端电压的变化量与相应电流变化量之比值（也称为稳压管的交流动态电阻） 最大允许耗散功率PZM——保证管子安全工作时所允许的最大功率损耗。 光敏二极管 光敏二极管是利用半导体的光敏特性制成的，当光线辐射于PN结时，它的反向电流随光照强度的增加而增强，所以称为光敏二极管，或光电二极管。 光敏二极管的反向电流与光照度成正比。光敏二极管可以用来做为光控元件。 发光二极管 发光二极管，顾名思意，通以电流将会发出光来。它的死区电压比普通二极管高，发光强度与正向电流的大小成正比。发光二及管常用来做显示器件。 §5.4 晶体三极管 三极管的结构 三极管的伏安特性—工作原理 三极管的主要参数 一、三极管的结构 三极管的结构 三极管的结构 每一类都分成基区、集电区和发射区，分别引出基极B、发射极E和集电集C。每一类有两个PN结。基区和发射区之间的结称为发射极，基区和集电区之间的结称为集电极。 二、三极管的伏安特性—工作原理 NPN型和PNP型晶体管的工作原理类似，仅在使用时电源极性联接不向而已。下面以NPN型晶体管为例来分析讨论。 三极管的三个电极之间可以组成不同的输入回路和输出回路——共发射极电路，共集电极电路和共基极电路 电流放大原理 三极管的伏安特性 三极管的三个电极之间可以组成不同的输入回路和输出回路 共发射极电路——基极和发射极组成输入回路，集电极和发射极组成输出回路。（最常用） 共集电极电路——基极和集电极组成输入回路。发射极和集电极组成输出回路（如射极输出器） 共基极电路——集电极和基极组成输入回路，发射极和基极组成输出回路。 电流放大原理 电流放大原理 电流放大原理 电流放大原理 要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置、集电结必须反向偏置——具有放大作用的外部条件。 电流放大原理 —— 内部载流子运动规律 电流放大原理 小结： 三极管的伏安特性 三极管的伏安特性反映了三极管电 极之间电压和电流的关系。要正确使用 三极管必须了解其伏安特性。 输入特性 输出特性 输入特性 三极管的输入特性是在三极管的集电极与发射极之间加一定电压，即：UCE=常数时，基极电流IB和基极与发射极之间的电压UBE之间的关系。 输出特性 输出特性曲线是指当基极电流IB为常数时，输出电路(集电极电路)中集电极电流IC与集-射极电压UCE之间的关系曲线。 在不同的IB下，可得到不同的曲线，即晶体管的输出特性曲线是一组曲线(见下图)。 各态偏置情况 主要参数 晶体管的特性不仅可用特性曲线表示，还可用一些数据进行说明，即晶体管参数。它是设计电路和选用器件的依据。 电流放大系数β， 集-基极反向截止电流 ICBO 集-射极反向截止电流 ICEO 集电极最大允许电流 ICM 集-射极反向击穿电压 U(BR)EOC 集电极最大允许耗散功率PCM 电流放大系数 β 当三极管接成共发射极电路时，在静态（无输入信号）时，集电极电流（输出电流）与基极电流（输入电流）的比值称为共发射极静态电流（直流）放大系数。 说明 静态电流放大系数和动态电流放大系数的意义不同，但大多数情况下近似相等，可以借用进行定量估算。 晶体管的输出特性曲线是非线性的，只有在曲线的等距平直部分才有较好的线性关系，IC与IB成正