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第29卷 第4期 电 子 元 件 与 材 料 、，01．29NO．4
2010年 4月 ELECTR0NIC COM PoNENTS AND ^ ERL LS Apr．2010
升温速率对Bio．98Lao．o2FeO3．PbTiO3薄膜
结构-l,土4／-~月匕的影响
周圆苑，李海敏，田云飞，肖定全，朱建国
(四川大学 材料科学与工程学院，四川 成都 610064)
摘要：采用 soI-gel法在 SiO2／Si(100)+f底上制备了0．68(Bio．9sLao．0~)FeO3-0．32PbTiO3(BLFPT)薄膜。采用快速
退火技术，以2～40℃／s速率升温、在700℃下保温 100S对BLFPT薄膜进行了后续处理。研究了升温速率对BLFPT
薄膜结构性能的影响。XRD测试结果显示BLFPT薄膜为赝立方结构。SEM和AFM结果表明，当升温速率为2℃／s
时，BLFPT薄膜表面晶粒更为均匀致密，粗糙度最小。XPS分析显示，Bi、Fe和Ti分别主要以化合态Bi2O3、Fe2O3
和TiO2的形式存在。
关键词：BLFPT薄膜，sol嚷e1法，快速退火
doi：10．3969~．issn．1001-2028．2010．04．001
中图分类号：TM27 文献标识码：A 文章编号 ：1001．2028(2010)04．0001．04
Effectofheatingrateonthestructurepropertiesof
Bio98Laoo2FeO3-PbTiO3films
． ．
ZHOU Yuanyuan，LIHaimin，TIANYunfei，XIAODingquan，ZHU Jianguo
(CollegeofMaterialsScienceandEngineering，SichuanUniversity,Chengdu 610064，China)
Abstract：0．68(Bi0．98Lao．o2)FeO3-0．32PbTiO3(BLFPT)filmswerepreparedonSiO2／Si(100)substratesbythesol-gel
method．TheBLFPTfilmswereannealedbyrapidthermalannealing(RTA、processat700℃ for100Sandtheheating
rateswere2—40~C／s．TheeffectofdifferentheatingratesontheBLFPTfilmsannealedbyRTAwasinvestigated．TheXRD
patternsofBLFPT filmsshow thatthestructureofthefilmsisthepseudo-cubicstructure．TheSEM andAFM analyses
show thatthegrainsofBLFPTfilmsappearmoreuniformityna ddense，andthesurfaceroughnessisthesmallestvalue
whentheheatingrateis2*C／s．TheXPSnaalysisshowsthatthevalencestatesofBi，FeandTielementsofBLFPTfilms
existmainlyintheofrm ofBi203，Fe203andTiO2，respectively．
Keywords：BLFPTthinfilm；sol·gelmethod；RTA
近年来，铁磁 电材料或称多铁性材料正受到越
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