的温度上升特性3.PDFVIP

　第 25 卷第 8 期 半　导　体　学　报 . 25, . 8 V o l N o 　2004 年 8 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A ug. , 2004 InP 基片在连续波 CO 2 激光局域加热时 的温度上升特性 吴云峰　叶玉堂　吴泽明　杨先明　秦宇伟 ( 电子科技大学光电信息学院, 成都　610054) 摘要: 采用聚焦连续波 CO 2 激光束对 n 型 InP 基片进行局域加热, 并利用专用的温度测量系统对 InP 基片曝光区 的温度分布及温度随时间的变化进行了测量. 结果表明, 在基片初始温度为室温时, 难以得到满足加工所要求的温 度上升. 增大曝光区面积和对基片预热可以使温度上升的幅度达到要求, 但温度的稳定性较差. 采用研制的温度控 制系统, 可方便地得到满足激光微细加工要求的稳定温度上升. 关键词: InP; 激光微细加工; 激光诱导温度上升 : 4262 PACC A 中图分类号: TN 3　　　文献标识码: A 　　　文章编号: (2004) 优, 提高O E IC s 的整体性能. 1　引言 考虑到半导体材料声光、电光等方面的特性, GaA s, InP 等化合物才是O E IC s 更为理想的基底材 半导体的激光微细加工技术具有“直接写入”、 ( 料, 尤其 InP 是光纤通信长波长范围 13～ “低温处理”等独特的优越性, 在微电子、光电子、集 155m ) 半导体光器件理想的基底材料. 因此, 实验 成光学及光电混合集成等领域有着广阔的应用前 中我们采用了 InP 作为基底材料, 还采用聚焦连续 [ 1 ] 波 激光束作为激光微细加工的光源, 在基片上 景 . 自20 世纪 70 年代末期以来, 国内外在这方面 CO 2 的研究非常活跃[ 2～ 7 ]. 的激光焦斑直径仅为数十微米. 由于激光曝光区的 由于光纤通信、光互连以及光信息处理等系统 温度是激光诱导扩散、激光诱导合金等实验的关键 的需求, 单片光电集成电路 (O E IC s) 自20 世纪 80 工艺参数, 所以必须对微小曝光区的温度上升规律 年代以来, 得到了广泛而深入的研究. 由于单片O E 进行仔细研究. IC s 需要将光、电两类功能和材料结构不同的器件 尽管半导体基片在激光照射下的温度上升特性