第6章++高阶劳厄区电子衍射图的分析与应用.pptVIP

第 6 章 高阶劳厄区电子衍射图的分析与应用 1. 高阶劳厄区（带）衍射的概念 6.1 高阶劳厄带斑点及其形成 如图所示，由于种种原因，除过 上的阵点与反射球相截外，与此平行的其它高阶倒易截面 上的阵点也可能与反射球相截，从而产生相应的衍射，称这些衍射斑点为高阶劳厄区衍射斑点或高阶劳厄带斑点，这些斑点指数满足: N=±1，±2，±3，… 倒易面阶数 2. 高阶劳厄带产生的条件 主要因素：倒易面间距，反射球半径1/?，倒易阵点形状。 晶体点阵常数。点阵常数增大，倒易面间距减小。 样品在入射束方向上的厚度。厚度上越小，倒易阵点的扩展量越大。 加速电压；加速电压越小，λ越大，1/λ越小。 晶体取向，晶带轴偏离入射束方向的程度越大，易出现高阶劳厄斑。 晶带指数[uvw]增加，与其垂直的倒易面间距减小。 会聚束使反射球面具有一定厚度。 3. 高阶劳厄斑点的几何特征： 同一高阶劳厄斑点所构成的特征平形四边形与零阶劳厄带斑点相同，在一般情况下相对于O阶劳厄带有一定的平移。 在对称入射情况下，高阶劳厄斑形成以中心斑为中心的系列同心园环，高阶劳厄斑点分布在园环内。 在非对称入射情况下，高阶劳厄斑分布于不对称的偏心园环内。 零阶劳厄带斑点和高阶劳厄带斑点之间有时存在无衍射斑点的空白区，有时也可能互相重叠。 N=±1，±2，±3，… 倒易面阶数 高阶劳厄带斑点指数(hkl)与晶带轴指数[uvw]及阶次N间满足 这称为广义的晶带定律 证 明： （1） （2） （1）=（2），得证 rUVW ghkl ? 由图可见 (6-2) (6-4a) (6-4b) (6-5a) (6-5b) 式中 6.2.2 高阶劳厄带斑点指数标定 0阶与高阶斑点分布相同，各自构成完全相同的二维网格，但一般有一相对平移。 一般，只标定一个高阶斑点指数，就可以与0阶斑点指数配合，用矢量运算方法，推出其他高阶斑点指数。 高阶劳厄带斑点指数的标定步骤： 标定0阶斑点指数，并确定晶带轴指数[uvw] 选取高阶劳厄带的阶次N。规律为： 对fcc晶体 u + v + w为奇数(两偶一奇)时，N = ?1， ?2，?3，阶次连续; u + v + w为偶数(两奇一偶)时，N = ?2， ?4，N 取偶数，阶次不连续; 对bcc晶体 u，v，w为奇偶混合时，N = ?1， ?2，…阶次连续; u，v，w全奇时，N = ?2， ?4,…N 取偶数，阶次不连续; 对六方、三斜、单斜等对称性较低的晶系，N是连续的 选取N值后，根据广义晶带定律hu + kv + lw = N，选择N层倒易平面（uvw）N*上的一指数为（hkl）的倒易阵点。 利用（6-5a） 计算（hkl）倒易阵点在0层倒易平面上的投影位置（HKL）；利用（6-5b）进行逆运算。 利用已标出的高阶劳厄带斑点和0阶斑点，进行矢量运算外推其他斑点指数。 利用矢量运算外推其他高阶劳厄带斑点指数的具体做法如图6-3所示。 (6-6) (6-7)