氧化亚铜纳米八面体的可控制备、生长机理及光学性能的研讨.pdfVIP

摘要 eV，在工 氧化亚铜(Cu20)为低廉环保的P型半导体材料，其能带宽度为2．17 农业生产中都具有广泛而重要的用途，可以用作色素、光催化剂、防腐剂、防污涂 料、光电材料、镇流器等。作为光电转换的重要材料之一，纳米CUE0半导体薄膜 已经被广泛地应用于太阳能电池等领域。同时，Cu20也是制备传感器和高温超导体 的材料。近年来，制备具有可控形貌和尺寸的Cu20纳米晶已经成为各国研究者关 注的热点。 本论文以硫酸铜为铜源，以乳酸为络合剂，采用恒电位沉积法在碱性条件下沉积 制备出了形貌可控的CUE0纳米八面体；利用无电极沉积法，在相同的实验参数制 备出分散性较好的Cu20纳米八面体，并通过扫描电镜、透射电镜及高分辨透射电 镜对其表面形貌及微观结构进行了详细地研究。 通过改变实验参数，研究了其(电位、pH值、乳酸与铜离子不同摩尔配比、反 应温度和反应时间等)对纳米CUE0的形貌和尺寸的影响。研究发现，在碱性条件 下，电位为．0．45．0V，温度为20。C一80。C，摩尔配比为0．75／0．4．6加．4时，纳米晶的 尺寸均有变化，而在电位负于．0。5V沉积时，形貌由纳米颗粒变成薄膜。将导电基 质改为铁片和铜片时，沉积得到的形貌均为致密薄膜。不同条件下得到的纳米晶均 为纯的Cu20，而没有CuO及Cu等杂质出现。利用紫外．可见光谱研究发现，随着 粒径减小，CUE0纳米八面体对光的吸收呈现蓝移现象。 在上述实验结果的基础上，本论文结合双电层吸附原理对其生长机理进行了阐 述，并利用该生长机理对不同反应参数下形貌和尺寸变化进行了分析。 关键词：氧化亚铜纳米八面体；电化学／无电极沉积；生长机理；光学性 质 Abstract an and oxide(Cu20)is environment Cuprous inexpensive friendlyP-type semiconductorwinladirect of2．17 has in band-gapeV,andCu20potentialapplications and as coat， industryagriculture，such materialandballast．Asamaterialfor photoelectric conversion,theCu20 photoelectric filmshavebeen usedinsolarcellsandotherfields．Atthesame widely time，theCu20 has utilizedinsensors alsobeen and the high—temperature researchhot arehowto spots synthesizeCu20nanocrystals、枋m andsize． Inthis octahedrahavebeen onaluminum paper，nanoscaleCu20 synthesized substrates underthebasic