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第九届全国绝缘材*。4-q绝缘技术学术交流会论文集2005年11月·九江
聚酰亚胺纳米杂化薄膜
绝缘材料77K下的电击穿性能研究
李元庆，付绍云
(中国科学院理化技术研究所，北京100080)
摘要：介绍了77K下薄膜状绝缘材料电气强度的测试方法，研究了聚酰亚胺／蒙脱土、聚酰亚胺／云母、聚酰
亚胺／SiO：三个系列的低温电气强度。结果表明：前两个系列填料对电气强度的影响趋势相同，均存在最佳
填料含量，聚酰皿胺／蒙脱土电气强度最佳可达215．77kV／mm；对于聚酰亚胺／si02系列，电气强度比纯PI
薄膜略有下降，且含量较高时下降明显，但仍然可以满足应用的要求。
关键词： 纳米杂化材料；聚酰亚胺／蒙脱土；聚酰亚胺／云母；聚酰亚胺／sio。；低温电气强度
Electricbreakdown
strength
of filmsat77K
hybrid
polyimide
LI
Yuan—qing，FUShao—yun
Institute and
(TechnicalofPhysicsChemistry,ChineseAcademyofScience，
100080,China)
Beijing
for electricbreakdownof
this method
ABSTRACT：Bypaper,a measuringcryogenic strengthinsulatingpolymer
electricbreakdown of
filmshasbeenintroduced．The strength
filmswasmeasuredandstudiedat77K．The
polyimide／mica(PI／mica)，polyimide／Si02(PFSi02)nanocomposite
resultsshowthatmontmorilloniteandmicafillershavesimilareffectsontheelectricbreakdownandan
strength
fillercontentexistsforbothPI／MMTandPI／mica PI／MMT electric
opdmal systems．Forsystem，thehighest
for theelectricbreakdownisalittlelower
breakdownis215．77kV／mm，whilePI／Si02
sffength system s缸ength
with filler andstillmeetsthe for
thanfor anddecreases contenL requirementpractical
purepolyimide increasing
applications．
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