新型全硅LIGA掩模板制造工艺研究.pdfVIP

新型全硅L!GA掩模板制造工艺研究* 陈迪 雷蔚 王水 张大成.伊福廷、李昌敏 郭晓芸 毛海平 上〔海交通大学微纳米科学技术研究院，200030上海) (a:北京大学微电子所，100871北京) (b:中科院高能物理研究所同步辐射实验室，100039北京) 摘要 本文利用ICP硅深层刻ktX艺，制备了一种全新的LIGA掩模板.与一般的LIGA掩模 板比较，该掩模板的最大特色在于其支撑层和吸收层都是由硅材料构成，支撑层与吸收层之 间没有结合力问题和热膨胀系数匹配问题.该x光掩模板还具有工艺简单、价格低廉等优点. 理论分析表明，该掩模板在中长波长区域可以很好地满足同步辐射曝光的要求。利用该掩模 板在北京同步辐射光源进行光刻，并进一步进行微电铸，均得到了比较理想的结果. 关键词 LIGA掩模板，ICP深刻蚀，LIGA技术 1引言 LIGA技术是一种重要的非硅三维微加工技术。其关键工艺就是利用同步辐射X光进行 深层光刻，获得高深宽比的光刻胶微结构后才能进行微电铸和微复制工艺。由于用于同步辐 射光刻的X光波长较短，而且具有较大的能量，这就对L工GA掩模板提出了相当高的要求[}1 LIGA掩模板包括两个最基本的部分，X光透过性好的支撑层和能有效阻挡X光的阻挡 层。由于物质对X光的吸收率与原子系数有关，原子系数越大，吸收越强，因此，支撑层一 般都选用低原子系数的材料制成，吸收层则由高原子系数的重金属材料制成，如Pt,Pb,W, Au等。 LIGA掩模板的支撑层和吸收层一般都由不同材料制备而成，材料之间存在着层面间的 粘结和热膨胀系数匹配等问题，而且为得到足够的反差，支撑层一般较薄，其强度就很难得 到保证121。我们利用ICP硅深层刻蚀技术制备了一种新型的全硅LIGA掩模板131。这种新型掩 模板的支撑层和吸收层都是由同一种材料硅构成。由于硅对X光的吸收系数较小，所以支撑 层可以做得比较厚，保证了该掩模板具有较大的强度。此外，制备该掩模板的工艺过程简单， 造价低廉。 2理论计算 在确定LIGA掩模板的材料和结构后，就要计算支撑层和吸收层的厚度，以保证在光刻 中有足够的反差。反差过小，一方面无法在光刻胶上得到很深的结构，另一方面，光刻胶表 面也容易有部分程度的曝光。造成侧壁倾斜川。 公式I给出了反差c的定义，其中，I:是穿过支撑层后的X光强度;I:是穿过阻挡层和 支撑层到达光刻胶表面的X光强度: 。一I},/IZ一“” 为了计算I，和几，可以利用公式2: Io=e-k.lX(2) in是穿透前的X光强度;I是X光穿过某种材料后的强度:um是这种材料的质量衰减系 .国家自然科学基金 和上海市教委昭光计划 (97SG10)资助项目 24 数;P是它的密度;t是它的厚度.“.是一种物质的特征量，它与X光的波长有关。由于同 步辐射X光谱是一个连续光谱，从可见光区域一直到硬X光区域，所以可以用X光的特征 波长a。来作为X光的一个特征量.x。是由同步辐射源中电子能量E(GeV)及偏转磁场B (T)决定的。 ，一‘’/BE2 ，，‘ 设硅支撑层和阻挡层的厚度分别为tl和t2，根据公式1和2可得: 一112一卜，、，，一I 经计算可知，在X光波长为0.23ran的条件下 (北京同步辐射光源的特征波长与之相近)， 硅吸收层厚度大于150um时，其反差大于1000，基本可以满足光刻胶厚度在200vm以下 的曝光需要。又因为在掩模板的制备工艺中，硅的湿法刻蚀与ICP深刻蚀都存在着一定的厚 度误差。为防止硅片刻穿。选择支撑层的厚度为20vm,厚度为20um的硅做支撑层有足够 的强度，而且支撑层的X光透过率也能满足要求。所以将硅支撑层厚度定为2011m，硅吸收 层厚度为150vmea 图1是根据北京同步辐射光源的 鹦 各种参数得到的20vm,170vm厚 毓 的硅，5Pm厚的Au的吸收曲线。