新型化学汽相沉积技术CatCVD的发展趋势.pdfVIP

新型化学汽相沉积技术Cat-CVD的发展趋势’ 严 辉，王 波，汪 浩，宋雪梅，王 玫，李建超，赵 谦 日匕京工业大学新型功能材料教育部重点实验室，北京 100022) 摘 要:CatalyticCVD(简称Cat-CVD)是一种不同于 型化学汽相沉积技术的时间尚不长，还存在一些科 传统化学汽相沉积(CVD)技术的薄膜制备方法，由 学与技术问题急待解决，其中某些已经制约了Cat- 于具有简侠低康的特点，逐步受到人们重祝.此项 CVD技术的进步。对Cat-CVD进一步的探讨。更有 技术在 Si系材料的制备方面已有较大进展，更表现 助于高性能薄膜在电子与信息领域的广泛应用。 出与其它扶术结合的发展趁势，但仍面临一些突出 本文介绍了Cat-CVD技术及其在制备Si系材料 的问题。 方面的最新进展，同时也指出Cat-CVD技术面临的 关健词:Cat-CVD:纳米S:i薄膜、SN,舫膜:Sic 急待解决的问题。 薄腆 2Cat-CVD法制备Si系薄膜材料的进 1 引 言 展及成果 1985年.松村英树((H.Matsumura)教授采用加 2.1SN,薄膜的制备 热W丝分解气体的方法，获得了高质It的a-Si:F:H S政作为半导体器件的表面钝化层t太阳能电 薄膜。作为一种不同于传统化学汽相沉积(CVD)技 池、半导体器件光刻工艺中的抗反射层，都有极其重 术的薄腆制备方法。特别是鉴于加热W丝可能起到 要的应用前景。而以往通常采用等离子体增强化学汽 的作用，松村先生起名为CatalyticCVD(简称Cat- 相沉积法制备，既易使等离子体造成对衬底及沉积薄 CVD，触媒CVD).逐步受到人们广泛的关注和重 膜的损伤，又使膜层中引入较多的H,然而，Cat-CVD 视。采用Cat-CVD.也相继制备出册件级质里的a- 技术的出现为S叹薄膜的制备开辟了新的道路 · Si:H,a-SiGe:H和a-SiN:H薄膜。1991年，在低温 A.lzumi等to采用Cat-CVD法在低温下成功制 条件下获得多晶Si薄腆。与此同时，1991年美国 备了器件级的SIN,薄膜，实验所用装ilt如图.所示。 NREL的AM.Mahan教授采用与Cat-CVD完全一 衬底为Si(100)，热丝温度为1800 19000CI衬底温 致的方法，侧备f光照稳定.H含ft}(2at.%--4at.01o) 度为NOT-反应气体流盈比为SiF,:NH,1.1:60, 的a-Si:H薄膜，并称之为Hot-WireCVDe随着该项 接电侧 加接. 技术的完善与研究工作的深入，主要是包括一些知 名企业(包括Toshiba.Sony.NECSanyo等)的积 极参与，研究对象迅速扩充，已经涉及GaAs、铁电、 S的ICs和薄膜晶体管(TFT)的应用领域，薄膜质tI 也相应得到显著提高。1999年，在日本石川县，召 开了有50多家日本与国外企业和研究机构参加的第 一次 “半导体器件工艺中的Cat-CVD方法”公开学 术研讨会.并于2000年 11月召开了第一届 `C‘at- CVD(Hot-Vire)工艺 国际学术会议，开始步入这种 新型化学汽相沉积技术发展的高峰期. Cat-CVD具有低沮生长的特性，且不存在等离 子体引起的损伤，适应于大面积薄膜的制备。并引 入较少的H。因此，在制备成本、化合物半导体、 Ef71Cat-CVD装t示意图 Fig1SchematicCat-CVDeq吻ment 祖定性等方面显示出很强的优势。因为发展这种新 *盆金项目:北京市自然科学苗创2992co2)峨育部优 秀年轻傲师若金资助谏月 心功能材料》增刊.2001·10 ，招15