pCBNpSi薄膜同型异质结的电学特性研究.pdfVIP

奎查!』塾旦!二坠些哇生蔓堕旦兰墼昱亟堕塑皇堂壁壁 !!! p-c—BN／p—Si薄膜同型异质结的电学特性。 李志中1，陈光华1，何斌1，郜志华1，张晓康3，丁毅3，张 岩2，周 涛z，邓金祥。 (1．北京工业大学材料学院，北京100022；2．北京工业大学应用数理学院，北京100022； 3．兰州大学物理学院，甘肃兰州730000) 摘 要： 用射频溅射系统制备了c-BN薄膜，并且用离 子注入的方法在c-BN薄膜中注入Be，制备了PeBN／F c—BN和金刚石有着很好的晶格匹配，在金刚石薄膜上 Sl薄膜同型异质结，并研究了异质结的电学性质。注入 外延生长n型c_BN薄膜已经实现，这为研究金刚石和 Be的0BN薄膜是采用传统的13．56MHz射频溅射系统， c-BN的超晶格结构提供了广阔的前景。在国内，陈光 用h-BN(纯度为99．8％)为靶材，在P型Si(i00)村底上沉华等人用射频溅射系统成功制备出n—c—BN／p—Si异质 积得到