缓冲层厚度对In082Ga018As外延层结晶质量和表面形貌的影响研究.pdfVIP

缓冲层厚度对In0.82Ga0.18As 外延层结晶质量和表面形貌的 影响† 1,2 1,† 1 1,2 1 1 张铁民 缪国庆 金亿鑫 谢建春 蒋 红 李志明 1 1 刘乃康 宋 航 (1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，激发态物理重点实验室, 长春130033； 2 中国科学院研究生院，北京 100039) 摘 要：本实验采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP 衬底上制备In0.82Ga0.18As 材 料。研究缓冲层厚度对In0.82Ga0.18As 外延层结晶质量和表面形貌的影响。X 射线衍射(XRD)表征外延层的结晶质量。 扫描电子显微镜(SEM) 观察样品的表面形貌。XRD 和SEM 的结果表明，当缓冲层的厚度为100nm 时，样品的结晶 质量和表面形貌最佳。 关键词：铟镓砷；金属有机化学气相沉积；缓冲层 1 引 言 In Ga As 薄膜是制作 1-3µm 红外波段光电探测器的重要材料。近年来，高In 组分的InGaAs x 1-x [1] 红外探测器在地球观测、遥感和环境监测等方面有着很好的应用前景 。对于在InP 衬底上外延生长 高In 组分的InGaAs 薄膜材料，由于外延材料与衬底材料之间存在着较大的晶格失配，从而导致外 延层表面粗糙且有大量的缺陷。为了减小晶格失配对外延材料性能的影响，衬底和外延层之间引入 缓冲层是最有效的方法。Luo[2]等人报导低温生长的缓冲层不仅给位错核提供低能量点，而且涉及对 应变的调整。Chen[3]等人报导低温生长的缓冲层对释放应力和抑制线位错是非常有效的。已报导生 长与衬底材料的晶格失配的 In Ga As ，采取的缓冲层结构有：组分线性变化、组分阶跃变化,或者 x 1- x [4-6] 采用超晶格等方法 。两步生长法已经被应用于生长高失配的外延材料，即：首先低温生长缓冲层， 经过升温过程，最后高温生长外延层。低温淀积的缓冲层可作为后续生长外延层的一个“模板”，容 纳外延层与衬底之间由于晶格失配和热失配导致的缺陷和应力释放。两步生长法生长的 SiGe[3] 、 AlGaN [7] 、InSb[8]和InAs [9] 已经被报导。目前还没有关于两步生长法生长In0.82 Ga0.18As 的报导。缓冲 层的生长条件强烈地影响外延层的质量，这些条件包括生长温度、Ⅴ/Ⅲ比和厚度等。本文报导采用 两步生长法生长In0.82Ga0.18As 材料，分析缓冲层厚度对外延层结晶质量和表面形貌的影响。 2 实 验 实验设备为LP-MOCVD ，水平式生长室，旋转石墨转盘，高频感应加热，衬底温度由插入基座 中的热电偶测量，生长过程中反应室压强保持10000Pa。实验采用掺Fe 半绝缘(100)InP 衬底；三甲 † 基金项目：国家自然科学基金重点项目（No.）； 国家自然科学基金面上项目 （No.）； † 通讯作者：E-mail: miaogq@ciomp.ac.cn 134 基铟（TMIn ）和三甲基镓（TMGa ）作为Ⅲ族源；浓度为 10％的砷烷（AsH ）和浓度为10％的磷烷 3 （PH ）作为Ⅴ族源。我们先在450℃生长厚度分别为 10nm、50nm、100nm 和200nm 的In Ga As 3