退化半导体模型弱解的存在性、唯一性和渐近性研究.pdfVIP

东南大学 硕士学位论文 退化半导体模型弱解的存在性、唯一性和渐近性 姓名：周文华 申请学位级别：硕士 专业：应用数学 指导教师：管平 摘要 退化半导体模型弱解的存在性、唯一性和渐近性 研究生：周文华 导师：管平教授 东南大学 摘要 文章研究一类非线性退化半导体方程： 坼-div(V烈u)-uVw)=r(u，v)O—uv)， 瓴，)∈G=Q×(o’r)， E-div(V烈V)+vV叻=r(u，v)O—uv)， 0，r)∈珐， 一Aw=v一“+G． (x，，)∈G， V烈“)·0=oV烈v)·u=oVw·u=0， (x,t)∈EⅣ=rNx(O，丁)， 烈”)=烈％)，烈V)=烈％)，w=wo，(x，f)∈ED=rjx(o，r)， “(·，O)=Ido，V(·，O)=vo， x∈Q． 弱解的存在性、唯一性和渐近性。 函数，r(u，v)(1一w)为净复合率，aQ=rDuFN，FourⅣ=o。 E上：(Q)的退化问题，接着对正则化问题的解 性。首先利用截断的方法将原问题正则化，化为‰，vo 做估计(这里的估计与具体的截断无关)，最后利用弱收敛性，通过取极限的方法证明了原问题解的 存在性；在第三章中讨论了唯一性。采用试验函数方法，证明了当初值为‰，1o∈e(Q)时原问题解 的唯一性；第四章构造了一个函数，通过求解微分方程证明了初值为‰，v0∈上：(Q)时原问题解的渐 近性。 关键词：退化抛物型方程：Gronwall引理；存在性；唯一性；渐近性． 中图分类号：0212．2 ^塔(2∞0)主曩分类：62J02：62J20 东南大学硕上学位论文 Onthe and BehaviourofWeak Existence，Uniqueness Asymptotic Solutionstoa Model forSemiconductors Degenerate Graduate：ZhouWenhua Southeast Supervisor：Prof．GuanPing University Abstract the isstudied followingproblem 坼一div(V烈“)一uVw)=r(u，V)(1一uv)， O，r)∈g=Q×(o，丁)， vf—div(VI烈v)+vVw)=r(u，V)(1一uv)， (x，f)∈g， 一Aw=v一“+G． ∞，)∈G， V烈Ⅳ)·u=0，V烈V)·p=0，V