超辐射发光二极管光谱特性研讨.pdf

超辐射发光二极管光谱特性研究 朱志文 重〔庆光电技术研究所 邮编400060) 摘要 分析了光纤陀裸用超辐射发光二极管光语特性的影响因素。指出了器件单程绪益和端面反封 丰对光诺调制指数，光诺普宽度的重要影响，理论分析与实脸结果一致. 1前言 超辐射发光二极管作为光纤陀螺的理想光源越来越受到惯导界的重视。为了减小背向 瑞利散射噪声和克尔效应对光纤陀螺性能的不良影响，要求光源具有良好的光谱特性。由 于光源相干长度越长，陀螺倍噪比越差，而光源相干长度与其光谱宽度成反比.因此，光 源应具有适当的光谱宽度。同时，光谱曲线的光滑程度对陀螺仪信噪比有直接影响，光谱 曲线上不能有太高的毛刺，这就要求较小的光谱调制指数.由此可见，超辐射发光二极管 光谱特性直接影响到陀螺的性能，对其光谱的研究具有重要的现实意义.迄今为止，国内 外已发表了数十篇有关超辐射发光二极管研究的文章，但对超辐射发光二极管光谱特性研 究的文章极少。本文从超辐射发光二极管增益分析入手，分析了器件单程增益、端面反射 率对光谱调制指数的影响，从而提出了减小器件光谱调制指数，改善光谱特性的措施，对 超辐射发光二极管的研制具有一定的指导意义。 2光谱调制指数 依据光纤陀螺对超辐射发光二极管的使用要求，超辐射发光二极管的光谱特性可用两 项指标定量描述。一是光谱调制指数，二是光谱宽度。 光谱调制指数是器件光谱曲线 “光滑”程度的量度，由下式给出: m=(G.一Gm,,)/(Gm,+Gm,,) (1) 对于端面反射率相等的半导体放大结构，其增益表达为: 一 (1一R)G. u = _ 长一一弋一-，盖一— (z) 1+R-(j,‘一2RGScost0L 式中，R为端面反射率，G，为器件单程增益，日为传播常数，L为器件腔长。若端面反 射率R不为零，则当20L为n的偶数倍和奇数倍时，器件增益分别取最大值和最小值，则 有; m=二2RGS (3) 1+R`G,` 理想的超辐射发光二极管，光谱调制指数m=0。这就要求R=0。由式 (D 可知，此时 G=Gs,器件净增益仅由单程增益构成。 3端面反射率 超辐射发光二极管研究的中心问题之一是要保持端面反射率足够低。假如，具有5%光 谱调制的器件能满足使用要求，则由(2)式可知，对于大功率器件，R应小于2.5X10-6. III一V族化合物半导体器件，解理端面反射率R-0.3。极易形成激射振荡，这显然对 超辐射发光二极管不利。因此，在超辐射发光二极管中，为了抑制器件激射振荡，改善光 谱特性，在器件后端大多引入了无源吸收散射波导结构。这些结构使器件形成了非对称形 式。这时，器件后端吸收散射波导的等效反射率，凡。可估算为: R,41+4LW2/K一W0 ,.R, (4) (1+4LW2/K2W4)2+4LW2 /K2W, 式中，凡为后解理端面反射率，片为无源波导长度，w。为垂直于结平面的光斑尺寸.K=2a n/.k，取L,=200um,Ro0.33,Bo2Pm,X=1.3Pm，则可计算出R.re、。.05.设器件输出端 面为R,，则 (3)式中的R可用下式计算: R=R,R7 (5) 图1示出了R与前端反射率R:的关系。当输出端面为自然解理面，即R,-O.3时，R-- 0.122,显然这不满足超辐射发光二极管的工作条件。因此，必须采用某种有效手段减小输 出端面反射率。在输出端面镀增透膜，就是一种行之有效的方法。当输出端面反射率小到 0.00