国内Ｘ射线光刻技术研究进展研究.pdfVIP

第十届全国电子束 离子束光子束 学术年会 国内X射线光刻技术研究进展 叶甜春1，谢长宵.‘陈大鹏 ，‘李兵，，刘训春，，仇玉林’，王继红2，苏伟军“，刘业异2.姚汉民2 (1中国科学院微电子中心，北京100010;2中国科学院光电技术研究所，成都610209) 摘要:下一代光刻技术(NGL)研究和选择已经成为当前半导体制造行业最为引人关注的热点 问题。在这些技术之中，X射线光刻技术被认为是最接近于实用要求的一种。目前国际上关 于X射线光刘技术的研究已经集中在大规模生产的实用化问题上，同时，应用了橄波毫米波 MMIC电路制造正成为一种新趋势。尽管与国际水平存在着较大的差距，但经过多年的积 累，国内的X射线光刻技术研究正在走出单项研究的局面，逐渐形成了以0.1橄米及以下尺 寸技术要求为目标的一套研究体系，面临着取得整体水平的扶术突破。 关健词:X射线光刻;掩模;SiN;对准台;NLVIIC 1 前 言 光刻技术一直是集成电路制造业向前发展的技术先导。随着器件特征尺寸向0.1微米逼 近，一直占据主流地位的光学光刻技术开始遇到越来越严峻的挑战。尽管DUV光刻仍然在 努力突破分辨率的极限，有研究者声称 157nm光源将使光学光刻应用到 0.1微米甚至以 下[[11，但最终终结光学光刻霸主地位的因素很可能不是难以逾越的技术障碍，而是随着光源 波长缩短而呈指数增长的成本。实际上，相对的低成本一直是使光学光刻技术的主导地位得 以保持到0.18微米的一个关键因素，但从 193nm到157nm光源的急剧急剧增长的成本使得 光学光刻最终开始显现出强弩之末的迹象 。 与此同时，下一代光刻技术 N〔GL)的研究和选择已经成为当前半导体制造行业最为引人 关注的热点问题。这些技术包括(1)X射线光刻(接近式)技术;(2)极紫外(EUV)即软X射线 投影光刻技术;(3)电子不投影光刻技术(SCALPEL);(4)离子束投影光刻技术(IPL)。这些技 术在展示各自优势的同时也面临着各自的挑战，简单对比其优缺点往往得不出任何令人信服 的结论。但如果以集成电路生产要求为目标，有两点是具有一定的可比性的，那就是成本和进 度。而在这两方面，X射线光刻技术被认为是最接近于实用要求的一种。据ASET的研究结 果[2iX射线光刻在NGL候选具有最低的成本。目前国际上关于X射线光刻技术的研究已经 集中在大规模生产的实用化问题上，而相对而言，其他技术还仍处于可行性或者说概念论证阶 段。尽管如此，由于NGL的实际应用起码要到2003--2006年0.13-0.1微米标准投人生产 时，现在得出结论还为时过早 。但毫无疑问，X射线光刻 目前正处于一个十分有利的位置。 379 沏南 ·长沙 目前国际上X射线光刻技术引人注 目的进展包括:IBM正在其生产线上进行批兰生产试 验D1;Toshiba,Mitsubishi和IBM将其应用于400MFIZPowerPCI一4GbDRAM测试单元电 路的制造;SAL公司1999年推出的0.13微米标准的点源光刻机XRS2000;美国麻省理工学 院应用X射线光刻研制出25纳米栅长的MOSFET等等。此外，特别值得注意的一个趋势是 将X射线光刻应用于微波毫米彼(MMIC)电路的制造。尽管X射线光刻技术还不能完全满 足超大规模集成电路生产的要求。但MMIC电路规模不大，只对光刻分辨率有特殊要求，与 其他各种光刻技术相比,X射线光刻目前取得的进展已可以满足 M:MIC电路生产的要求。 SAL公司在 1999年新的0.13微米标准的XRS2000系统就是专用于MMIC电路制造的，目 前已经交给LockheedMartin集团的Sanders用于GaAs器件的制造。 ‘ ‘ .