半导体材料精品教学：半导体材料第三章元素半导体材料.pptVIP

第三章 元素半导体 李斌斌 元素半导体材料 3.1 硅 3.2 锗 3.3 硼、磷、硒和碲等 周期表中与半导体相关元素 3.1 硅 硅石(硅的氧化物)、水晶早为古代人所认识，古埃及就已经用石英砂为原料制造玻璃。 由于硅石化学性质稳定，除了氢氟酸外，什么酸也不能侵蚀它、溶解它，因此长期以来人们把它看成是不能再分的简单物质。 大约在18世纪70年代，化学家们用萤石与硫酸作用发现氢氟酸以后，便打开了人们认识硅石复杂组成的大门。 尤其在电池发明以后，化学家们利用电池获得了活泼的金属钾、钠，初步找到了把硅从它的化合物中分离出来的途径。? 1823年，瑞典化学家贝采里乌斯(Berzelius J.J.)用金属钾还原四氟化硅或用金属钾与氟硅酸钾共热，首次制得较纯的粉状单质硅。 1854年，法国人德维尔（S.C.Deville）用混合物氯化物熔盐电解法制得晶体硅。 地壳中各元素的含量 硅的分布 硅在自然界分布极广，地壳中约含27.6％， 在自然界中是没有游离态的硅 主要以二氧化硅和硅酸盐的形式存在。 SiO2 3.1.1 硅的化学性质 原子序数14，相对原子质量28.09，有无定形和晶体两种同素异形体，属于元素周期表上IVA族的类金属元素。 晶体硅 晶体硅为钢灰色，密度2.4 g／cm3，熔点1420℃，沸点2355℃，晶体硅属于原子晶体，硬而有光泽，有半导体性质。 化学性质稳定 常温下，只与强碱、氟化氢、氟气反应 高温下，较活泼 表面易纯化，形成本征二氧化硅层 二氧化硅层在半导体器件中起着重要作用： 1. 对杂质扩散起掩蔽作用； 2. 对器件的表面保护和钝化作用 3. 用于器件的绝缘隔离层 4. 用作MOS器件的绝缘栅材料等 3.1.2 硅的晶体结构 能带结构 间接带隙结构 价带：轻空穴和重空穴 补充：有效质量 有效质量的意义 引进有效质量后，半导体中电子所受的外力和加速度的关系和牛顿第二定律类似； 描述电子运动方程中出现的是有效质量，而不是惯性质量m0 当有外力作用下，电子一方面受到外电场力的作用，同时还和其它电子相互作用着，电子的加速度应该是半导体内部势场和外电场作用的综合效果 但找出内部势场的具体形式并求加速度比较困难，引进有效质量后，就可以把内部势场概括在有效质量里 有效质量与能量函数关系 能带越窄，二次微商越小，有效质量越大； 能带越宽，二次微商越大，有效质量越小； 内层电子的能带窄，有效质量大； 外层电子的能带宽，有效质量小。 轻空穴和重空穴 轻空穴－－－有效质量小 重空穴－－－有效质量大 3.1.3 电学性质 本征载流子浓度 1. 本征半导体在一定温度下，就会在热激发下产生自由电子和空穴对，从而形成本征载流子浓度。 2. 温度一定，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。 3. 当温度升高时，热运动加剧，挣脱共价键束缚的自由电子增多，空穴也随之增多（即载流子的浓度升高），导电性能增强；当温度降低，则载流子的浓度降低，导电性能变差。 晶体中电子的E(k)与K的关系 补充：如何推导出NC 能态密度：在能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数 费米分布 在热平衡条件下，电子按其能量大小具有一定的统计分布规律，也就是说电子在不同能量的量子态上统计分布机率是一定的。 导带中的电子浓度 在能量E～E＋dE间的电子数dN 导带底能带密度Nc 价带顶的空穴浓度 本征载流子浓度 1. 电子和空穴的浓度乘积和费米能级无关 2. 对于一个给定的半导体材料，乘积只取决于温度T，与所含杂质无关 Si的本征载流子浓度 温度T=300 K，Eg=1.12 eV 电导率和电阻率 电导率 电阻率 习题1 本征硅的电导率 轻掺杂半导体 习题2 掺杂P浓度为1×1017 cm-3 3.1.5 硅中的杂质 1. n型掺杂剂：P，As，Sb 2. p型掺杂剂：B 3. 轻元素杂质：O，C，N，H，O 4. 过渡族金属杂质：Fe，Cu，Ni O的危害 热处理过程中，过饱和间隙氧会在晶体中偏聚，沉淀而形成氧施主、氧沉淀和二次缺陷等； 氧沉淀过大会导致硅片翘曲，并引入二次缺陷； C的危害 C会降低击穿电压，增加漏电流； C会促进氧沉淀和新施主的形成； C会抑制热施主的形成 H的作用 H在硅中处于间隙位置，可以正负离子两种形态出现； H在硅中形成H-O复合体 H能促进氧的扩散和热施主的形成； H会钝化杂质和缺陷的电活性； H能钝化晶体的表面或界面，提高器件的性能 过渡金属的危害 在硅中形成深能级中心或沉淀而影响器件的电学性能； 减少少子扩散长度从而降低寿命； 形成金属复合体，影响