GaAs／AlAs异质谷间转移电子器件弛豫振荡模式的研讨.pdf

caAslAIAs异质谷间转移电子器件弛豫振荡模式的研究 .薛舫时 半导体超晶格国家重点实验室，北京，1以KI盯， 南京电子器件研究所.南京，210016 摘要:本文运用多能谷电子隧穿理论和Mnote Craof模拟建立了异质谷间转移电子器件的动态工作模拟 模型，在此墓础上编制成棋拟设计软件，对各类结构器件进行了棋拟计算。发现了两种谷间转移电子效应 间的强相互作用和新的弛豫振荡模式。运用该模式解释了器件的各类振荡和放大性能和里子阱控制极的重 要控制功能. 一、 引言 耿氏器件是利用强场作用下电子的谷间转移效应来工作的。由于两能谷间有效质量差 别所产生的转移电子负阻形成了一个强场畴，畴在有源层中的漂移运动产生出耿氏振荡。 振荡的频率取决于畴的渡越时间，是一种体效应器件。我们在肠认5/Ali公异质结的电子隧 穿过程研究中发现，由于两种材料的能带结构不同，在特定的异质结构和偏置条件下隧穿 电子也能从电场中获取能量，由一个能谷转移到另一能谷，从而产生异质谷间转移电子效 应。我们把能产生异质谷间转移电子效应的异质结构同耿氏有源层结合起来，设计制造出 了比耿氏器件效率更高、输出功率更大的异质谷间转移电子器件。这种新器件的工作机理 是什么?是以什么振荡模式工作的?就成为大家关心的一个重要问题。 这一新器件的主要特征是同时存在两种谷间转移电子效应— 耿氏效应和异质谷间转 移电子效应。异质结在电子隧穿过程中向有源层注入了不同能谷的电子，同时异质结构中 的强电场还使有源层的左边界始终处在强电场下，从而完全改变了耿氏器件有源层中的电 场分布和谷间载流子布居。进入了一种全新的射频工作模式。深入研究这一工作模式不仅 可以解释器件的各种动态工作特性，而且还能设计异质结构和有源层，使器件能够满足各 种应用要求。为此我们把异质结构的量子隧穿谷间电子转移理论同有源层中的多能谷散射 输运理论结合起来，建立起器件动态电子运动过程的模拟方案，并编制成相应的器件模拟 设计软件。对各种异质结构、掺杂接口和有源层结构在不同偏置和射频激励条件下的各种 状态进行了全面的模拟计算。弄清了这种器件的最有效的工作模式— 弛豫振荡模式。下 一节中首先介绍器件的MonteCral。模拟方案，第三节介绍模拟计算得出的器件振荡特性， 并把它同实验测试结果进行对比。最后讨论器件的振荡特性和优化设计。  二、 Mon加Cxaof器件模拟 器件中使用了AIAs了Ga八5异质结构，C氏As的导带底在r点而川As的导带底却在X点。 使异质结构中产生了显著的能带混合。在较高的异质结偏压下可能产生r和X两种隧穿电  子。我们用多能谷有效质量理论通过两种电子波的波阻抗来计算其隧穿电流。考虑到实际  器件在工作时往往达到较高的结温，计算温度选定为500K。有源层中的电子输运过程用 MonteCral。方法来模拟。G别抽导带中的L谷能量低于X谷能量，在常规的耿氏器件中主 要考虑r谷与L谷间的转移电子效应。现在由异质结构注入的X电子处于更高的能量，很 可能通过谷间散射转移到L或P谷中去。同时在强电场作用下r与L能谷之间也发生显著 的电子交换，因此必须考虑r、L和X三能谷间的转移过程。这三个能谷的电子和有源层 施主杂质一起构成很强的空间电荷，它们决定了有源层中的电场分布。必须联立求解相应 的泊松方程。洲门根据电场分布结构把有源层划分成宽窄不等的网格，以2xl护个载流子 206 组成一个超粒子，按照不同能谷的有效质量和散射参数来计算各能谷超};-r的漂移和散