GaAs光电导开关优化及背面触发下闪络特性研讨.pdfVIP

PCSSs)，以其极高开关响应速度、极小的电感和较大通流能力，受到国内外研究者的广 泛重视。然而，现今制约光电导开关发展的主要原因在于：当在光电导开关两端施加较高 电压时，开关表面会出现闪络放电现象，尤其在电极边缘，并常常伴随有破坏现象，而此 时所加电场强度却远低于砷化镓材料本身的击穿场强。因此，砷化镓光电导开关的工作场 强远低于砷化镓材料本身的击穿场强，这极大的限制了砷化镓光电导开关的工作性能。 20世纪末，国内外形成了对半导体材料沿面闪络放电现象研究的热潮，大量关于闪 络放电现象的理论解释被提出。尽管对闪络特性的理论研究已取得了很多的成果，然而闪 络是一个极为复杂的现象，因此至今人们对其内在机理还不是十分清楚。如何抑制闪络放 电现象的发生是现今人们研究的重要课题，也是提高半导体器件性能的重要因素。 本文依据二次电子发射等理论，分析了GaAs光电导开关沿面闪络的发生机理。对 GaAs光电导开关沿面闪络发生时的电场进行了分析，指出表面电场的畸变是沿面闪络发 生的重要因素。 对GaAs光电导开关的电极进行了改进，优化了表面电场分布。采甩了新型的绝缘封 装技术，’成功研制了高性能的GaAs光电导开关，有效抑制了沿面闪络的发生，大大提高 了闪络电压。 首次提出了背面触发方式，并对开关正面触发以及背面触发进行了大量实验，得出了 验结论，并通过净电荷和电场畸变理论对其进行了合理的分析。 实验表明了本文研制的光电导开关在30Hz重复频率下，耐压性能可以达到20kV， 并且具有良好的稳定性。 关键词：GaAs光电导开关；光脉冲；沿面闪络；背面触发 本研究得到国家自然基金fNo10876026)的资助。 II Abstract THE Title：OPTlMIZATlONOFANDRESEARCHON GaAs BACK．TRIGGERED CHARACTERlSTICS SWITCHS PHOTOCONDUCTIVESEMICONDUCTOR ELECTRONICS Major-PHYSICS Name．JiJIA Qiang Signature：I：：二呈!蛩乃、及 Shi Signature：此：≤Z， Supervisor．Prof．Wei Abstract Withthe of and high。power pulsedpowertechnology，high-voltage rapiddevelopment GaAs semiconductordevicesbecome whichSemi-Insulated increasinglypopular，among semiconductor their switchingspeed，small photoconductive switches(PCSSs)，withhigh inductanceand transmissioncurrent extensiveatte