GaAs太阳电池低温退火技术的研讨.pdfVIP

GaAs太阳电池低温退火技术的研究 向贤碧 常秀兰 杜文会 中国科学院半导体所材料科学开放实验室 北京 100083 摘要:本文介绍作者近年来在AI,Ga,,As/GaAs异质结太阳电池的研究工作中发展起来的一 种低温退火技术(LT人).以及它对AlGal-汽As/GaAs太阳电池性能的影响。经过~系列 实验，证明低温退火工艺技术是一项改进太阳电池性能的有效措施。AJ,Ga,-、人s/GaAs太 阳电池经过适当的低温退火处理后，其填充因子(F.F)明显提高.开路电压(Voc)略 有增加。因而导致了太阳电池的转换效率的明显提高。作者用电化学C一V测量技术对退 火前后的外延片进行了测量分析.并对退火效应的扫1q进行了一些初步的探讨。 一、引言 AlGa,_,As/GaAs太阳电池具有许多固有的优点.与硅太阳电池相比较.它具有更高 的转换效率，更强的抗辐照性能.并且能够在较高的温度下工作。因此.Al,Gat_公As/GaAs 太阳电池是很有前途的下一代空间能源。本文作者从90年代初开始采用多片液相外延技 术研制AI,Ga,-、As/GaAs太阳电池。取得了显著进展。1995年 我们研制的大面积GaAs 太阳电池的转换效率达到了18.96%(AM0,4.4cm2,25ti)o 但是，我们发现。在我们实验室研制出的AI,Ga,_,As/GaA:太阳电池的填充因子 (F.F)不够高。长拐四是对于大面积的太阳电池，其填充因子(F.F.〕一般都低于0.7。这 一缺点严重影响了太阳电池的转换效率的提高。经过分析我们认为.F.F不够高的原因主 要是由于栅线电极(CrAu或TiAu)与p-GaAs层之间的欧姆接触不良造成的。因为欧姆 接触不良导致了串联电阻增大.而串联电阻增大又导致了光照下的I一V曲线形状变坏. 这就造成了填充因子(F卫)变小。为了解决这一问题，我们提出了一种低温退火(LT人) 工艺，并把它应用到了太阳电池的器件工艺流程中。Li丈一系列的实骏，我们取得了明显 的进展。以下我们将介绍这项新的工艺技术以及它对GaAs太阳电池性能的影响。 二、实骏 2.1液相外延 我们采用多片液相外延技术和两步外延工艺来生长AI,Ga,_As/GaAs太阳电池结构外 延片。我们的外延设备和外延工艺已在以前的文章中作过详细介绍，这里就不再叙述。 我们研制的AI,Gat_,As/GaAs太甭电池的结构为 “p-A1,Ga,_,Aslp-GaAsm- GaAs/n-GaAs衬底。其中，n--GaAs衬底是掺Si的GaAs单晶片.取向为(100)，厚度 约为400，m，浓度为Ix10cm火n-GaAs缓冲层是掺Sn的夕涎层.厚度为20，m.浓度 为2x1口cm;p`-AIxGa，一二As窗口层也是外延层·掺杂剂为Zn·它的厚度1。m，浓度 p=2x10cm.,Al的组分X=0.8;而p`-GaAs发射区是一层扩散层 它是在p`-A.!Ga，一二、窗 口层的生长过程中.Zn原子由p-A1.Ga,-xAs层向n-GaAs缓冲层中扩散形成的.它的厚 度..2，m，浓度p-2x10cma。 2.2器件工艺 我们的太阳电池器件工艺与其它作者所采用的器件工艺相似。我们采用正胶光刻与热 -2七;一 一一一— 一-__一一9六扁全国固体薄膜学术会议论文条_ 蒸发工艺来制作电极。正面栅极材料采用过CrAu,近两年来 改为TiAu。背面电极材料 采用人uGeNi+Ag。电极燕发完以后。样品被放人N2气氛中进行合金，以形成良好的欧姆 接触。样品在合金后还要经过电镀Ag的工艺过程，以增加栅线的厚度。最后把样品的四周 边缘解理掉，以便保证太阳电池的边缘不短路. 本项工作的不同之处在于，当电池制备好之后.再把它放人到N2气氛中进行低温退火 处理(LTA)，退火温度在200一300℃之间，退火时间在30一60分钟的范围内。电池 经LT人处理后再把它压焊到一块特制的印刷电路板上。再放人100℃的供箱中烘烤4小时， 压焊的目的是使CaAs太阳电池的机械强度得到增强。 这最后两步工艺是本文作者的创新，未见国内外文献有过类似报道。经过一系列实脸. 我们发现这两步工艺对GaAs太阳电池性能的提高有很大帮助，躺捌是低温退火工艺的作 用更加明显，我们将在本文的后半部分加以详细的介绍。