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加固计算机的电磁兼容与干扰抑制措施研究.pdf

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加固计算机的电磁兼容与干扰抑制措施 高 召 (华北计算技术研究所,北京100083) 摘要随着电磁兼容标准的强制性实施,加固计算机的电磁兼容设计已经成为与产品的功能性设 计同等重要的设计项目。本文简单阐述了加固计算机电磁兼容设计中常用的干扰抑制措施。 关键词 屏蔽技术接地干扰抑制措施 滤波截止频率 1屏蔽技术 式中Zw为电磁波的波阻抗,Zs为屏蔽材料的特 1.1屏蔽的基本原理 征阻抗。可以看出对于特定的屏蔽材料(Zs一定),被 屏蔽的电磁波的波阻抗越高则反射损耗越大,对于确 (1)电场屏蔽 定的电磁波(Zw一定),屏蔽材料的阻抗越低则反射 众所周知,利用金属屏蔽体可以对电场起到屏蔽 损耗越大。对于电场波而言,屏蔽体距离辐射源越近, 作用,不过,屏蔽体的屏蔽必须完善并且良好接地,否 反射损耗越大;对于电场波,屏蔽体距离辐射源越远, 则,屏蔽体将起不到屏蔽作用。 反射损耗越大。电磁波穿过屏蔽体时的反射损耗等于 (2)磁场屏蔽 屏蔽体两个界面上的反射损耗之和。 磁场屏蔽通常是指对直流或低频磁场的屏蔽,其 电磁波在屏蔽体中传播时会有一部分能量转换 效果要比电场屏蔽和电磁场屏蔽差得多。磁场屏蔽的 成热量,导致电磁能量损失,这种能量损失称为吸收 机理主要是靠高导磁材料所具有的低磁阻,对磁通起 损耗A。 着分路的作用,从而使屏蔽体内部的磁场减弱。设计 A=2019(e‘届)=8.69(t/8)(dB) 时最好选用高导磁材料。对于磁场强度大的场合,应 电磁波衰减为原始强度的1/e或37%时所传播 采用多层屏蔽,在屏蔽内部强磁场时,内层应选用导 的距离成为趋肤深度。趋肤深度的计算公式为: 磁率较低的材料,外层应选用高导磁材料,以避免磁 8=0.066/(舢n)1/hnm,f的单位为MHz 饱和并且要注意彼此之间的绝缘。相反,当要屏蔽外 常用金属的趋肤深度如下(单位为毫米): 部强磁场时,材料的排列次序要颠倒过来。 频率 铜 铝 钢 “金属 (3)电磁场屏蔽 100Hz6.6 8.38 0.66 0.48 一般情况下,电场分量和磁场分量总是同时存在 lkHz 2.08 2.67 0.20 0.08 的。因此,在屏蔽电磁场时,必须同时对电场和磁场加 lOkHz0.66 0.89 0.76 以屏蔽。高频电磁屏蔽的机理主要是基于电磁波穿过 lMHz0.08 0.08 0.008 金属屏蔽体产生波反射和波吸收的机理。电磁波到达 10MHz0.02 0.025 0.0025 从吸取损耗的公式可以得出以下结论: 屏蔽体表面时,之所以会产生波反射,主要原因是电 屏蔽材料越厚,吸取损耗越大,厚度每增加一个 磁波的波阻抗与金属屏蔽体的特征阻抗不相等,两者

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