利用智能剥离（Ｓｍａｒｔ++ｃｕｔ）技术形成ＳＯＩ材料的研讨.pdfVIP

第十届全国电子束离子束光子束学术年会 利用智能剥离(Smartcut)技术 形成Sol材料的研究 李映曾，张志宽.张 兴，王阳元 (北京大学微电子所，北京Iu0S7I) 摘要:Smartcut是继BESOI技术之后发展起来的新型智能剥离技术，它解决了BESOI技术中 减薄的困难，同时兼顾了SIMOX技术和枕合技术的优点，利用智能剥离技术形成so工材料的 一些关健问题，知注氢剂量，能童的选择 ，健合前的亲水处理等作了一些研究，得到了最佳的注 氮剂量，能蚤以及亲水处理方法。在3英寸硅片上成功地实现了智能剥离。 关健词:SOI;离子注入;健合;智能剥离 1 引言 SOI器件以其特有的结构可以实现集成电路各元器件的绝缘隔离，消除了体硅CMOS中 的寄生门锁效应，同时SOI器件还具有寄生电容小，集成度高，速度快，工艺简单和短沟道效 应小等优点，所以，SOI材料特别适用于制造低压，低功耗电路和抗辐照器件c 在诸多形成SOI结构材料的技术中，SIMOX和键合加减薄技术(BESOI)k制造SOI材料 的主流技术。SIMOX技术比较成熟，能获得薄的均匀顶层Si膜，目前国际上已有成品的 SIMOX基片出售。但由于注氧剂量高，需要强束流(1mA一1OmA)专用注氧机，价格昂贵，因 而SIMOX片成本较高。近年来兴起的键合加减薄技术(EBSOI)形成SOI材料，因其顶层硅 膜就是体硅，其器件性能优越，该技术倍受青睐，但是以往健合形成的SOI材料其减薄是非常 困难的，难以得到薄且均匀的顶层硅膜的SOI材料，限制了它在全耗尽器件中的应用。1995 年刚刚发展起来的智能剥离技术(Smartcut)是在键合前注氢，经低温键合和适当温度退火使 之在注氢的射程(Rp)处形成微空腔，并剥离，从而减少了硅片减薄的困难，这样，利用键合技 术亦能得到比较薄的顶部硅膜的SOI材料，Smartcut技术的出现，使得利用键合技术形成 SOI材料得到了迅速的发展，本篇将就Smartcut技术中的有关问题作一些有益的研究。 2 Smartcut技术简介一 利用智能剥离技术形成SOI称为UnibondoSmartcut技术制备Unitbong共分四步: (1)硅片A(光片或表面有氧化层)中H*注入; (2)硅片A与硅片B(光片或表面有氧化层)低温键合; (3)V合片退火(400--600-C)，使硅片A在H分布峰值(Rp)处分离，其中A片上的一薄 层单晶硅转移到硅片B上键合形成SOI结构。硅片A剩余部分可以继续使用。 165 胡南·长 沙 (a)高温退火(十抛光)，对trnibona进一步退火，增加键合强度以及进一步恢复顶屋硅膜 由于H+注人引起的损伤，为改变表面状况及均匀性，需利用CMP再抛光。 3 Smartcut技术中的一些A题 在智能剥离技术要解抉的关键技术是注氢和键合。 注氢剂量的选择将决定键合后退火时能否在注氢峰值处裂开，而注人能最的选择将决定 s0I的顶层硅膜 的厚度 ;键合是 决定能否形成 SOI结构材料的关键 。 3.1 注氮的能且和剂且 注氢(或氦)的作用是当H进人硅中，H十会打破Si一Si键，在硅中形成点缺陷，并有部分 Si形成Si一H键。然后这些点缺陷在加温情况下重叠形成多重空洞，并且有H放出，在空润 形成HZ，并在加温下空洞内压力升高，发生起泡或剥离。显然，能否实现剥离，取决于注氢的 剂量，即应存在一个临界剂量。我们考察了注H和注He的剂量对表面起泡的影响，表 1给 出注人不同剂量下的H或He经600C退火后的表面的状况。 表 t 不同剂量下的H`或He,经600C1退火后的表面状祝 注人离子一种类 荆I(1/cm2) 退火((6001;)5小时后表面状况 5K1016 表面未见麻点即未起泡) 1X1017