第二章集成电路的半导体器件PPT.ppt

;半导体的特性;;2.1 半导体的特性 2.2 PN结和晶体管 2.3 双极型晶体管 2.4 MOS场效应晶体管 2.5 集成电路的无源器件;导体：电阻率小于10-4Ω.cm，很容易导电，称为导体.如铜、铝、银等金属材料； 绝缘体：电阻率大于1010Ω.cm，很难导电，称为绝缘体，如塑料、橡胶、陶瓷等材料； 半导体：电阻率在10-3~109Ω.cm，导电能力介于导体和绝缘体之间，例如硅(Si)和锗(Ge)等半导体材料；;2.1.2半导体的晶体结构;;;;;2.1.3半导体中的电子状态;+;共有化运动——在晶体结构中，大量的原子按一定的周期有规则的排列在空间构成一定形式的晶格。如果原子是紧密堆积的，原子间间距很小。晶体中原子能级上的电子不完全局限在某一原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去，结果电子可以在整个晶体中运动。 电子共有化的原因：电子壳层有一定的交叠，相邻原子最外层交叠最多，内壳层交叠较少。 ;+;原子彼此接近时的能级图并说明;4.内壳层电子处于低能级，电子共有化运动弱，分裂成的能级窄；外壳层电子处于高能级，共有化运动显著，能级分裂的能带很宽； 5.能带的宽度由晶体性质决定，与晶体大小（晶体包含的原子数N）无关，N越 大，能带中的能级数增加，但能带宽度不会增加，只是能级的密集程度增加； 6.能带的交叠程度与原子间距有关，原子间越小，交叠程度越大； 7. 在平衡间距处，能带没有交叠。 ;;电子具有波粒二象性，运动的电子看做物质波，就是电子波;; k 的取值范围都是 （n=整数） ; 有关能带被占据情况的几个名词：; 导体、半导体和绝缘体 ;导体能带结构; 在外电场的作用下，大量共有化电子很 易获得能量，集体定向流动形成电流。;电子完全占满价带。导带是空的。 满带与空带之间有一个较宽的禁带 热能或外加电场，不足以使共有化 电子从低能级（满带）跃迁到高能 级导带上去。所以不能形成电流。; ;;将一维E(k )在k=0附近按泰勒级数展开 E(k)=E(0)+(dE/dk)k=0k+(1/2)(d2E/dk2)k=0 k2 +· · · (dE/dk) k=0 =0;对给定的晶体， (d2E/dk2) k=0是一个常数;能带顶部附近的E(k )与k的关系;半导体中电子???运动规律不同于自由电子 ——受到晶体内部周期势场的影响;晶体中的电子的平均速度：;（3）电子的加速度;电子的有效质量的意义：;能量、速度、有效质量与波矢的关系：;内层电子共有化运动弱，能量窄，极值二级微商（曲线曲率|）小，有效质量大； 外层电子的能带宽，有效质量小，加速度大； 不同材料，不同方向，有效质量不同;（4）半导体中的空穴： ; 。;对于整个满带来说：因为所有的量子态都被填充，外电场作用下，总的电流为0;如果导带中有电子, E=0，能量图中，电子的K态是对称的。 E≠0，电场作用下，电子迁移，最终形成不对称的电子能量k图