利用表面活性剂有效去除ULSI衬底硅片表面吸附颗粒.PDFVIP

第 23 卷第 4 期 电　子　器　件 V o l. 23,N o. 4 2000 年 12 月 　　　　　　　Jou rnal of E lectron D evices　　　　　　　 D ec. , 2000 文章编号:(2000) 0429805 利用表面活性剂有效去除U L S I 衬底硅片表面吸附颗粒① 古海云 , 刘玉岭 (河北工业大学, 天津 300130) 摘要: 利用表面活性剂特性, 通过改变硅片和颗粒表面 电势来改变硅片表面和颗粒间静电力极性, 有效地控制硅片表面颗粒吸附状态长期处于易清洗的物理吸附状态, 在微电子清洗技术上实现了重要突 破。 关键词: 硅片, 表面吸附, 颗粒, 非离子表面活性剂 中图分类法: TN 305. 2　　　文献标识码:A 1　引　言 　　超大规模集成电路 ( ) 生产中, 衬底硅片表面颗粒污染极大地降低了器件成品率, UL S I ( ) 并且, 随着特征尺寸的持续降低 2010 年将达到 0. 05 m , 导致电路缺陷的颗粒尺寸下限 值也相应更加苛刻。目前, 较先进的日本 SPEED. FAM 、美国M EM C 等公司, 采取抛光片抛 光后在颗粒形成化学键合吸附前, 迅速用双面刷片机刷洗, 获得了较洁净表面, 但存放时间 ( ) ( ) 短 必须在 2 h 内刷洗, 否则颗粒超标, 不合格 、设备价格昂贵 每台 30～ 40 万美元 、效率 ( ) ( ) 低 一片片依次刷洗, 每单位需多台 、易造成二损伤 返修率高 , 又有化学、键合吸附的存 在。因此, 颗粒去除问题已成为微电子技术主要攻关难题[ 1, 3 ]。本研究在综合半导体表面物理 化学和胶体化学关于表面吸附理论的基础上, 利用非离子表面活性剂特性有效解决这个问 题。 2　实　验 实 验用硅片为 100 mm 包括 n ( 100) 和 p ( 111) 两种晶向: 实验用抛光机为美国 CYBEQ 3800 型; 硅片清洗方法为典型RCA 清洗, 洗后甩干; 实验用非离子表面活性剂为河 北工业大学 型非离子表面活性剂; 颗粒检测设备为激光检测器 5000。 FA O L S 硅片经化学机械抛光后, 将硅片放入片盒内, 然后放入 活性剂溶液中存放, 一定 FA O 时间后正常清洗, 检测颗粒数, 与纯水中保存的硅片相对比。 3　结果与分析 ( ) 1 活性剂控制颗粒吸附效果实验: 来稿日期: ① 修改日期: © 1995-2006 Tsinghua Tongfang Optical Disc Co., Ltd. All rights reserved. 第 4 期　　　　　　　古海云、刘玉岭: 利用表面活性剂有效去除 衬底硅片表面吸附颗粒　　　　　 UL S I 299