徐树英《电工学》海南大学教学课件-8n.pptVIP

1.2.3 晶体二极管应用电路举例 1. 整流电路 2. 二极管限幅电路 3. 门电路 （箝位作用） (1-*) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 (1-*) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 (1-*) 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 (1-*) 三、主要参数 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： 1. 电流放大倍数和 ? (1-*) 例：UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = (1-*) 2.集-基极反向截止电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 (1-*) B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO进入N区，形成IBE。 根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流?IBE。 集电结反偏有ICBO 3. 集-射极反向截止电流ICEO ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 (1-*) 4.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 5.集-射极反向击穿电压 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 (1-*) 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的功率 为： PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 晶体管处于放大状态。 (2) 开关 S 合向 b 时 [例8.1.1] 图示电路，晶体管的 ? = 100，求开关 S 合向 a、b、c 时的 IB、IC 和 UCE，并指出晶体管的工作 状态（忽略 UBE ）。 [解] (1) 开关 S 合向 a 时 UBB1 RB1 5 500×103 IB = = A = 0.01 mA IC = ?IB = 100×0.01 mA = 1 mA UCE = UCC－RCIC = (15－5×103×1×10－3) V = 10 V UCC = 15 V UBB1 = 5 V UBB2 = 1.5 V RB1 = 500 k? RB2 = 50 k? RC = 5 k? UBB1 S B C E RC UCC RB1 UBB2 RB2 a b c UCE = 0 V 晶体管处于饱和状态。因为若 IC = ?IB = 100×0.1mA = 10 mA UCE = UCC－RCIC = (15－5×103×10×10－3) V =－35 V UCE＜0，这是不可能的，即不可能处于放大状态。 (3) 开关 S 合向 c 时 IB = 0，IC = 0，UCE = UCC = 15 V 晶体管处于截止状态。 UCC RC ＞ = 3 mA UCC RC 15 5×103 IC = = A = 3 mA UBB1 S B C E RC UCC RB1 UBB2 RB