金属直接敷接陶瓷基板与敷接方法 Direct Bonded Metal Substrates and Bonding Methods.pdfVIP

·综述· 金属直接敷接陶瓷基板与敷接方法 井敏 傅仁利 何洪 宋秀峰 (南京航空航天大学材料科学与技术学院，南京210016) 文摘综述了金属直接敷接陶瓷基板及敷接方法，介绍了国内外金属直接敷接陶瓷基板的结构和性能 特点。敷接关键技术以及基于金属敷接陶瓷基板的功率电子封装新技术，展望了金属敷接陶瓷基板的新进展和 今后的应用前景。 关键词金属敷接陶瓷基板，敷接方法，功率电子 and Methods DirectBondedMetalSubstrates Bonding Min FuRenliHe Song Jing Hong Xiufeng ofMaterialScienceand ofAeronauticsand 210016) (College Technology，NanjingUniversity Astronautics，N肌jing bondedmetal structureand AbstractThis describes methodsanddirect substrates．The paper bonding typical directbonded ale andthenew ofsuch metalsubstratesintroduced．The properties keyfabricatingprocess of for electronicdevicesbasedondirectbondedmetalsubstrateissummarized．Thedevelo— packagingtechniquepower and ofdirectbondedmetalisdiscussed． ping applicationprospect wordsDirectbondedmetal electron method，Power Key substrate，Bonding 0前言 于微电子装备的封装结构当中。 随着电子装备的日益小型化和多功能化，大规 金属与陶瓷的连接出现于20世纪50年代∞。J， 模、超大规模集成电路的集成度越来越高，并且基板 具有代表性的钼锰法活性金属钎焊工艺已广泛应用 上各类Ic芯片的组装数及组装密度也越来越高，元 于真空电子器件的封接旧j。在微电子封装领域出现 件数越来越多，器件结构也愈来愈复杂…，功率密度 了直接敷铜法(DBC)，是一种基于氧化铝陶瓷基板 W／ 也越来越大，20世纪80年代末的功率密度为2．5 的金属化技术，最早出现于20世纪70年代一“¨，到 cm3，而90年代己达6W／cm3以上拉J。此外，现代功80年代中期，美国GE公司的DBC研制小组将该技 率微电子封装除承担热耗散外，还必须具有Si、GaAs术实用化u2。3|。日本东芝公司借助高导热A1N陶 相匹配的线胀系数以及强度高、结构质量轻、工艺性 瓷基板的研究优势¨引，在AIN陶瓷基板的直接敷铜 好、成本低等特点。要满足这些性能的