能量控制型传感器PPT.ppt

能量控制型传感器;本次课需要掌握 下列传感器的原理和使用 电位器式传感器 应变片式电阻传感器 电感式传感器 电容式传感器;传感器分类;电阻式传感器 核心器件：线绕电位器、电阻应变片等。 主要应用：力学参数的测量(位移、压力、荷重、加速度等)。;1.电位器式传感器;x;计算题： 电位器式传感器电阻为10K欧，电刷最大行程为10cm,消耗功率为40mW，试求当输入位移为3cm时，传感器输出电压多少？ 类似P48-10;左：波登管位移带动仪表指示 右：波登管位移带动电位器滑动电刷;膜盒内腔通入被测流体，膜盒中心发生位移，推动连杆上移，使得曲柄轴带动电刷在电位器电阻丝上滑动;电位器式位移传感器示意图;测量小位移的传感器示意图;;我们可以做这样一个较简单的实验：取一根细电阻丝，两端接上一台3 1/2位数字式欧姆表（分辨率为1/2000），记下其初始阻值（图中为10.01?）。当我们用力将该电阻丝拉长时，会发现其阻值略有增加（图中增加到为10.05?）。;2.应变片式电阻传感器;A B C;金属丝式或箔式结构示意图;各类箔式应变花;电阻率;半导体应变片主要是利用硅半导体材料的压阻效应而制成的。如果在半导体晶体上施加作用力，晶体除产生应变外，其电阻率会发生变化。这种由外力引起半导体材料电阻率变化的现象称为半导体的压阻效应。　　半导体应变片是直接用单晶锗或单晶硅等半导体材料进行切割、研磨、切条、焊引线、粘贴一系列工艺制作过程完成的。;半导体式电阻应变片 优点：灵敏度大（比金属式大100倍）;体积小; 缺点：温度稳定性和可重复性不如金属应变片。;问题：下表中，哪几个型号是半导体应变片，依据是什么? ;应变片的主要参数 ;应变片单臂电桥测量电路; 上述公式表明U0与ΔR/R是非线性关系，故测量中不可避免会存在非线性误差，为消除非线性误差，常采用以下两种电路： 半桥 全桥 同时也提高了灵敏度;在试件上安装两个工作应变片, 一个受拉应变, 一个受压应变, 接入电桥相邻桥臂, 称为半桥差动电路, Uo与（ΔR1/R1）呈线性关系, 差动电桥无非线性误差, 而且电桥电压灵敏度KU=E/2,比单臂工作时提高一倍, 同时还具有温度补偿作用。 ;9;一、直流电桥的平衡条件;电压灵敏度对比（ E=4V时,应变片每变化1%, ） 单臂电桥,KU=E/4, 电压变化0.01V 双臂电桥,KU=E/2, 电压变化0.02V 四臂电桥,KU=E , 电压变化0.04V;题目：;选择题：;差动放大器电路分析;;应变式传感器的应用--电子计价秤;电子计价秤通常选用铝合金为材料的双复梁式结构的称重传感器。 当称重传感器受外力F作用时， 产生平行四边形变形， 四个应变片分别粘贴在变形较大的部位(孔的周围)， 电阻值随之变化。 当外载荷改变时， 由四个电阻应变片组成的电桥输出电压与外加载荷成正比。;案例：应变片的粘贴;电阻在双孔悬臂梁的位置 VS 在全桥中的位置;一种电子厨房称;压阻式压力传感器图片;压阻式传感器是利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。压阻式传感器和半导体应变片均是利用半导体材料的压阻效应制作的传感器。 硅的压阻效应不同于金属应变计（见电阻应变计），前者电阻随压力的变化主要取决于电阻率的变化，后者电阻的变化则主要取决于几何尺寸的变化（应变），而且前者的灵敏度比后者大50～100倍。;汽车新技术介绍：胎压实时监视系统(TPMS);MPS-500G是模仿日系传感器制造，采用恒流源供电，因此具有非常优越的温度系数，在客户的血压计应用中，在稳定性及抑制漂移drift等方面具有很好的表现。 MPS-500G系列压力传感器在一块微机械加工的硅片表面膜片上制作出四个高灵敏度压阻电阻。扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时，各电阻值将发生变化，电桥就会产生相应的不平衡输出。采用DIP封装。 温度:-5--80℃ 表压型:7PSI 零点偏移:±10mV 线性度:±0.3%FS 迟滞性：±0.3%FS 尺寸 (L x W x H) mm：8.4 x 7.2 x 9.63 ;3.电感式传感器;3.电感式传感器; 特点： ①??结构简单，无触点，工作可靠寿命长； ②?灵敏度分辨率高，能测0.01μm 的变化，输出信号强； ③?线性度和重复性较好，在一定位移几十μm～数mm内，非线性误差可做到0.05%～0.1%，且稳定性好。在工业检测系统中广泛应用。 缺点：频率响应较低，不宜快速动态测控。 电感型传感器分为自感