硅基支撑系统的光刻工艺.pdfVIP

第24卷第¨期 强 激 光 与‘粒 子 束 V01．24，No．11 201 HIGHP()WERI．ASERANDPARTICI．EBEAMS 2年11月 Nov．．2012 文章编号： l001—4322(2012)ll一267304 硅基支撑系统的光刻工艺。 罗跃川， 张继成 (巾周T程物理研究院激光聚变研究中心，四川绵阳621900) 摘要： 为提高硅基支持系统制备中光刻过程的线宽精度，甩正交试验分析了前烘、曝光、显影主要步骤 中一些主要参数对制备结果的影响，得到了它们的影响程度的规律以及较优的参数组合。在此基础上设计和 训练了合适的前向误差反向传播神经网络．对主要工艺参数进行了进一步的分析、预测和优选，并用实验加以 s；曝光时间5s；显影温度15℃，时间90s时， 验证。最终得到在胶厚约l。55m时，前烘温度100C，时间90 光刻后网形的绂宽偏差最，J、，达到了o．3肛n·以下， 关键词： 硅基支撑系统；光刻；线宽偏差；正交试验；BP神经网络 A 224【1．2673 中图分类号： TN305 文献标志码： doi：L0．3788／HP【．PB201 硅基支撑系统具有良好的导热性能和力学性能，作为一种微机电系统(MEMS)器件在惯性约束聚变 度高的三大特点。这对其制备水平提出了很高的要求，是需要解决的重点、难点问题之一。目前，硅基支撑系 统加L主要基于等离子体深刻蚀技术、光刻技术、薄膜沉积技术和化学湿法腐蚀技术等，包括了镀膜、光刻、湿 法刻蚀、反应离子刻蚀等多种工艺_1]。这些工艺中i艮多都直接或问接地与光刻技术相关，如化学湿法腐蚀技术 和等离子体深刻蚀技术都以光刻作为前级工艺，除自身的丁f艺控制对结果有影响外，光亥6的效果也起了很大的 作用。所以，要精密制备硅基支撑系统，必须先对其光刻流程进行合理的控制。基于此，本文使用苏州瑞红的 RZJ390PG光刻胶，对硅基支撑系统的光刻尺寸精度作了研究，包括了其前烘、曝光、显影。通过实验和数据处 理过程，分析了其中一些主要参数对光刻结果的影响，并在此基础上优化丁．艺参数，以期获得优良的光刻效果。 1硅基支撑系统的结构 硅基支撑系统的主要结构是前端的卡爪和臂上的金属连线及接头。在硅基支撑系统制备中，光刻T岂直 接应用于金属连线的制作和硅基支撑系统外形的制作。要达到对硅基支撑系统精密制备的目的，光刻流程的 研究和优化是第一步，详细研究其工艺并进行优化是必要的。由于金属连线图形和硅臂的总体图形的线宽较 为接近，故步骤和t艺参数也大致相同，因此在研究参数时可以只重点研究金属连线图形的光刻。 2实验及结果分析 2。l正交试验 15mw／cm2；PEB温度130。C，时间120s，由于胶比较厚，驻波效应不太明显，PEB步骤影响可忽略。显影采 常重要的参数i}“，是光刻工艺控制的主要对象。采用I。。(31)正交试验表对这四个因素同时研究，每个因素设 置3个水平，如表1所示，由于以前实验使用的曝光时阃13(Js过长，丽合适的时间范围尚未知，因此未等闻距 取值。对于光刻结果．用掩模版上图形的线宽值与实际做出的图形的线宽值的偏差来衡量．线宽采用光学测量 显微镜测量，每个试验样本测量多次，取其平均值。实验结果见表2。 s．曝光时间5s，显影时 小。根据平均差值分析可推知，使偏差量最小的参数组合为A：B，c：D．，即前烘时间90 0112； 05—23 *收稿日期：2012 修订日期：2012 8 作者简介：罗跃川f195)，男，硕士，研究实习员，研究方向为徽加[；medIeVaInlafl@_Inacom。