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腔室长时间使用造成的工艺漂移对微晶
硅薄膜性质的影响
张鹤。藏志华，张晓丹，魏长春，孙建，耿新华，赵颖
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所。天津300071
擅耍考查了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)高压制备微晶硅(uc—Si：H)薄膜过程中。系统长时间使用造成的微晶硅薄膜特
nm／s；保证硅薄膜具有一定的晶化程度(40％-80％l，由不同
性的漂移情况。实验中．控制沉积条件．使薄膜的沉积速率达到约0．5
探测波长的Raman散射谱估算纵向结构变化。以腔室使用时间作为基准。考查不同硅烷浓度下制备的样品，发现在相同沉积条件
下．材料的晶化率和光暗电导随腔室使用时间的增加而不断增大，沉积速率随之大幅提高。观察发现，在电极板和腔室壁上积累了
大量硅反应残留物(硅粉末和硅薄膜)．分析认为，薄膜特性漂移是这些硅残留物不断参与等离子体及成膜反应的结果。’研究表明．
提高硅烷浓度可有效校正微晶硅薄膜电学及结构特性的漂移．同时保持高速沉积。
关■词微晶硅薄膜：等离子体增强化学气相沉积：工艺漂移；硅粉末
中圈分类号0484 文■标识码A 文章■号1000_7857(2009120—0019-03
siliconremainssuchas and onthe
EffectsofDriftDuetoChamber’S powdersfilms，observed
electrodeand／oronthechamberwallinthis
plate
on siliconremains take inthereactionsrelatedtothefilm
Long-timeUsage probablypart
formationin isfoundthatthisdriftof structural
MicrocrvstallineSilicon plasma．It p,c-Si：H
Properties
andelectronic canbe thesilane
propertiesadjustedbyincreasing
withthe rate ata
ZHANG concentration，anddepositionbeingkept hish
He，DAIZhihua，ZHANGXiaodan，
level．
WEI Jian，GENGXinhua，
Changchun，SUN
siliconthin enhanced
KOy,votdamicrocrystallinefilm；plasma
ZHA0
Ying
chemical drift；sili
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