微机原理第十四次_new.pptVIP

微机原理及接口技术 总线技术 总线上的反射与终端网络 总线上的反射 当总线被视为长线时， 信号沿总线传播。 要减少反射的影响，就要尽量使信号源内阻、总线的特性阻抗和负载阻抗三者相匹配。 总线上的反射与终端网络 例如，若在图中，信号源的内阻ZS＝7.5 Ω，传输线的特性阻抗ZO＝50 Ω，负载阻抗ZL＝3900 Ω。若在t＝0的时刻，在信号源US上加上一个阶跃信号，幅度为2 V，则信号反射网格图如图所示。 终端匹配网络 系统总线的匹配网络 在系统总线上， 速度不高时， 可以不接匹配网络。 简单情况就是采用上拉电阻。 电阻分压网络。 带有钳位二极管的电阻分压网络。 利用恒压源的总线匹配网络如图所示。在此网络中，利用稳压器使其输出电压维持在高电平(2.75～3.6 V)上，将此电压经过一个电阻(阻值为180 Ω)与总线相接。 作业：4.16、4.18、4.19、4.20 微机原理及接口技术 存储技术 本章主要内容 半导体存储芯片的外部特性及其与系统的连接 存储器扩展技术 存储卡技术 内容： 半导体存储器的基本概念 存储器的分类及其特点 两类半导体存储器的主要区别 微型机的存储系统 Cache存储系统 解决速度问题 虚拟存储系统 解决容量问题 概述——内存、外存 内存——存放当前运行的程序和数据。 特点：快，容量小，随机存取，CPU可直接访问。 通常由半导体存储器构成 RAM、ROM 外存——存放非当前使用的程序和数据。 特点：慢，容量大，顺序存取/块存取。需调入内存后CPU才能访问。 通常由磁、光存储器构成，也可以由半导体存储器构成 磁盘、磁带、CD-ROM、DVD-ROM、固态盘 内部存储器的分类 读/写存储器(RAM) RAM最重要的特性就是其存储信息的易失性(又称挥发性)，即若去掉它的供电电源，则其存储的信息也随之丢失。在使用中应特别注意这种特性。 RAM按其制造工艺又可以分为双极型RAM和金属氧化物(MOS)RAM。 双极型RAM。 ?双极型RAM的主要特点是存取时间短，通常为几纳秒(ns)甚至更短。与下面提到的MOS型RAM相比，其集成度低，功耗大，而且价格也较高。因此，双极型RAM主要用于要求存取时间很短的微型计算机中。 内部存储器的分类 金属氧化物(MOS)RAM 用MOS器件构成的RAM又可分为静态读/写存储器和动态读/写存储器。当前的微型计算机中均采用的金属氧化物(MOS)RAM。 静态RAM(SRAM)的主要特点是，存取时间为几到几百纳秒(ns)，集成度比较高。目前经常使用的静态存储器每片的容量为几十字节到几十兆字节。SRAM的功耗比双极型RAM低，价格也比较便宜。 动态RAM(DRAM)的存取速度与SRAM的存取速度差不多。其最大的特点是集成度特别高。目前单片动态RAM芯片的容量已达4 Gb。其功耗比SRAM低，价格也比SRAM便宜。 内部存储器的分类 只读存储器(ROM) ROM的重要特性是其存储信息的非易失性，即存放在ROM中的信息不会因去掉供电电源而丢失，当再次加电时，其存储的信息依然存在。ROM又分为以下几类： 掩膜工艺ROM。 这种ROM是芯片制造厂根据ROM要存储的信息，设计固定的半导体掩膜版进行生产的。一旦制出成品之后，其存储的信息即可读出使用，但不能改变。这种ROM常用于批量生产，生产成本比较低。微型机中一些固定不变的程序或数据常采用这种ROM存储。 内部存储器的分类 可一次编程ROM(PROM或OTP)。 为了使用户能够根据自己的需要来写ROM，厂家生产了一种PROM，允许用户对其进行一次编程--写入数据或程序。编程之后，信息就永久性地固定下来，用户只可以读出和使用，再也无法改变其内容。 可擦去重写的PROM。 这种可擦去重写的PROM是目前使用最广泛的ROM。这种芯片允许将其存储的内容利用物理方法(通常是紫外线)或电的方法(通常是加上一定的电压)擦去，然后重新对其进行编程，写入新的内容。擦去和重新编程可以多次进行。一旦写入新的内容，就又可以长期保存下来(一般均在10年以上)，不会因断电而消失。 存储器的主要性能指标 存储容量 指的是存储器芯片的存储容量，其表示方式一般为：芯片的存储单元数×每个存储单元的位数。 例如，6264静态RAM的容量为8 K×8 bit，即它具有8 K个单元(1 K＝1024)，每个单元存储8 bit(一个字节)数据。动态RAM芯片NMC41257的容量为256 K×1 bit。 现在，各厂家为用户提供了许多种不同容量的存储器芯片。在构成微型计算机内存系统时，可以根据要求加以选用。当计算机的内存确定后，选用容量大的芯片可以少用几片，这样不仅使电路连接简单，而且使功耗和成本都可以降低。 存储器的主要性能指标 存取时间 存取时间就是存取芯片中