碳离子束注入辅助蒸发低温沉积DLC薄膜研究.pdfVIP

下载本文档

4
0
约9.14千字
约 3页
2018-04-07 发布于北京
举报
版权申诉

碳离子束注入辅助蒸发低温沉积DLC薄膜研究.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

2007 2007年6月润滑与密封 June 第32卷第6期 LUBRICATIONENGINEERING Vol-32No．6 碳离子束注入辅助蒸发低温沉积DLC薄膜研究+ 白秀琴1李健2 (1．武汉理工大学可靠性工程研究所湖北武汉430063；2．武汉材料保护研究所湖北武汉430030) 摘要：采用碳离子柬注入辅助蒸发技术低温沉积了DLC薄膜，对薄膜沉积的工艺参数进行了优化，并对该薄膜的摩擦学行为进行了探讨。研究发现：碳离子束注入辅助蒸发技术沉积的DLC薄膜在离子量为3．0×1017ions／cm2，沉积率为0．1nln／s时具有最小的摩擦因数(0．1)；电流为2．0mA比3．0mA条件下所沉积的DLc薄膜表面光滑；磨损试验后，DLC薄膜的表面只有轻微磨损的痕迹。关键词：DLC薄膜；碳离子束注入；辅助蒸发沉积中图分类号：TGl74文献标识码：A文章编号：0254—0150(2007)6一006—3 0fDLCFnmsCarbonIonBeam Study by hnplantation Assisted VaporDeposition Bai LiJian2 XiUqinl of Hubei (1．ReliabilityEngineeringInstitute，WuhanuniversityTechnology，Wuhan430063，Ch访a； InstituteofMaterials 2．WhhanResearch Hubei Protection，Wuhan430030，China) beaIIl assisted at10w were Abstmct：DI￡矗lmsC+ionimplantationv印ordeposition prepared，the by temperature pa- were discussed．Itisfound 6lms C+ionim- rameters the behaViorwas DLC beam tribological optimized，and preparedby assisted havealowest舫ction iondosewas3．0×1017ions／cm2and plantationV印ordeposition coemcient(0．1)when w丑s0．1 DLC矗Jmjsmoresmoo￡hwhe玎j彻be舢cun．en￡was2．OmA幽an3．O deposj￡j彻rafenn∥s；fhe showsthewomsurf如eofDLCfilmis clearwear don’tocc