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光纤通信第五章 光源与光发送机 第五章 光源与光发送机 5.1 半导体光源的物理基础 5.1.1 孤立原子的能级和半导体的能带 5.1.2 光与物质的相互作用 5.1.3 粒子数反转分布状态 5.2 半导体光源的工作原理 5.3 光源的工作特性 5.4 光发送机 5.5 驱动电路与辅助电路 5.1.1 孤立原子的能级和半导体的能带 孤立原子中，电子能量量子化形成能级；大量原子相互靠近形成晶体时，内部电子的共有化运动使离散能级变成能带。 5.1.25.1.3 光与物质的相互作用和粒子数反转分布 自发辐射：大量处于高能级的粒子，各自分别自发跃迁到低能级并发射一列一列频率为?=(E2 -E1) /h的光波，但各列光波之间没有固定的相位关系，可以有不同的偏振方向，沿所有可能的方向传播。各光子彼此无关。 受激辐射：处于高能级E2的粒子受到光子能量为? =E2 -E1的光照射时，粒子会由于这种入射光的刺激而发射出与入射光一模一样的光子，并跃迁到低能级E1上。有相同的偏振方向和传播方向。 受激吸收：在外来光子激励下，电子吸收外来光子能量，从低能级跃迁到高能级，变成自由电子。 产生受激辐射和产生受激吸收的物质是不同的。设在单位物质中，处于低能级E1和处于高能级E2的原子数分别为N1和N2。当系统处于热平衡状态时，存在下面分布： 自发辐射和受激辐射的特点 自发辐射的同时总伴有受激辐射发生。 在热平衡情况下，自发辐射占绝对优势。 当外界给系统提供能量时，如采用光照（即光泵）或电流注入（即电泵），打破热平衡状态，大量粒子处于高能级，即粒子数反转后，在发光束方向上的受激辐射比自发辐射的强度大几个数量级。 第五章 光源与光发送机 5.1 半导体光源的物理基础 5.2 半导体光源的工作原理 5.2.1 LED工作原理 5.2.2 LD工作原理 5.3 光源的工作特性 5.4 光发送机 5.5 驱动电路与辅助电路 LD与LED 激光器被视为20世纪的三大发明（还有半导体和原子能）之一，特别是半导体激光器LD倍受重视。 光纤通信中最常用的光源是半导体激光器LD和发光二极管LED。 主要差别： 发光二极管输出非相干光； 半导体激光器输出相干光。 比起半导体激光器，因为LED不需要热稳定和光稳定电路，所以LED的驱动电路相对简单，另外制作成本低、产量高。 LED的主要工作原理对应光的自发发射过程，因而是一种非相干光源。LED发射光的谱线较宽、方向性较差，本身的响应速度又较慢，所以只适用于速率较低的通信系统。 在高速、大容量的光纤通信系统中主要采用半导体激光器LD作光源。 发光二极管LED 对于光纤通信系统，如果使用多模光纤且信息比特率在100～200Mb/s以下，同时只要求几十微瓦的输入光功率，那么LED是可选用的最佳光源。 LED通常和多模光纤耦合，用于1.31μm或0.85μm波长的小容量、短距离的光通信系统。 LD通常和单模光纤耦合，用于1.31μm或1.55μm大容量、长距离光通信系统。 分布反馈半导体激光器（DFB-LD）主要也和单模光纤或特殊设计的单模光纤耦合，用于1.55μm超大容量的新型光纤系统，这是目前光纤通信发展的主要趋势。 5.2.1发光二极管 工作原理：LED发射的是自发辐射光（非相干光）。大多采用双异质结结构，把有源层夹在P型和N型限制层间，但没有光学谐振腔，故无阈值。在热平衡状态下有源区几乎没有电子空穴对，一般不发光；外加激励时有源区存在大量电子空穴对，由于自发辐射而发光。 LED分为表面发光型和边发光型，边发光型LED的驱动电流较大，输出光功率小，但光束发射角小，与光纤的耦合效率高，故入纤光功率比表面发光型LED高。 5.2.2 半导体激光器LD 半导体激光器的优点：尺寸小，耦合效率高，响应速度快，波长和尺寸与光纤尺寸适配，可直接调制，相干性好。 按结构分类： F-P LD、 DFB LD、 DBR LD、 QW LD、 VCSEL 按波导机制分类：增益导引LD和折射率导引LD 按性能分类：低阈值LD、超高速LD、动态单模LD、大功率LD 按结构分类：同质结：只有一个PN结且P区和N区为同一物质；单异质结（LH）：由两种不同材料(如GaAs和GaAlAs)构成的P-N结；双异质结（DH）:有三种材料，有源区被禁带宽度大、折射率较低的介质材料包围。 法布里-珀罗型激光器F-P LD F-P LD是最常见最普通的LD. 由外延生长的有源层和有源层两边的限制层构成，谐振腔由晶体的两个解理面构成。通常为双异质结（DH）LD。 激光器实质上是一个受激发射的光振荡放大器。 F-P LD基本工作原理 实现F-P LD激射工作的四个基本条