[农学]第四章 薄膜的形核与生长.pptVIP

（三）斜向沉积 由于原子斜向入射可以提高表面方向的速度分量，从而增加吸附原子在表面的迁移率。所以，在岛的初始生长阶段，随着入射角的增大，原子团的聚集增加，实验证明，在入射角小于80o时，膜平面是各向同性生长。随着岛的尺寸增加，因为自遮蔽效应，在入射方向上会出现柱状生长（沿表面垂直方向厚度增加）。因此，膜的临界厚度，随入射角的提高，迅速增大。 显然，各向异性的柱状生长，完全由气相粒子的入射方向和吸附原子的表面迁移率决定，起始迁移率越高，各向异性生长就越不显著。因此，高温沉积时，即使入射角很大，各向异性生长也不突出。 斜向入射提高了原子团的聚集，产生柱状生长时，晶粒尺寸随厚度增加而增大，其尺寸可以比垂直入射时大几倍到几十倍。 可见，为了实现均匀生长，或制备较薄的连续膜，可采用低沉积率和垂直入射方式；为了获得大晶粒的厚膜，可以采用高沉积率和斜向入射。 （四）静电效应 在沿沉积基片表面方向施加一静电场时，由于电流可以忽略，实际上是静电效应在影响薄膜的生长。实验发现： 静电场的施加有利于薄膜的择优取向生长，甚至能沉积生长出高度择优取向的单晶薄膜； 2. 外加电场使薄膜的临界厚度减小，高温时，临界厚度的减小更加明显； 3.电场的影响只有岛并合前才起作用，增加电场强度可增加岛的面积，在到达临界值时；由于岛间隙原因，再增加电场，会出现电弧放电，使薄膜损伤； 4. 施加电场制备的薄膜的电阻率明显低于未加电场生长薄膜的电阻率，高温下沉积的薄膜，电阻率的减小更加明显。减小的原因可能是使冻结的结构缺陷减少； 5. 静电效应可以用电场与荷电岛间的相互作用来解释。岛的荷电来源与气相原子的离化和基片界面处的电位。设半径为 r 的原子团荷电 q ，将会使其自由能增加，总的自由能为表面自由能和静电能之和： 总自由能的增加必须用增加表面积来调整，从而使球冠变扁，准确的形状由增加的自由能大小决定。扁形表面将使岛变得平整，增加了表面扩散，从而增大岛的面积，增大了连续薄膜的平整度、减小了薄膜的临界厚度。 总之，静电效应对制备超薄膜、降低电阻率、对制备择优取向薄膜非常有利，关键是合理选择静电场的强度和沉积温度。 表面相的概念 成核：新相生成的初期阶段，包括：核的形成与成核速率问题。 临界核：从相变热力学观点看，新相核（原子团）存在一个临界尺寸，称为临界核。比临界核尺寸大的核原子团是稳定的；比临界核尺寸小的原子是不稳定的。 薄膜形成过程： 气相 小于临界核尺寸的原子团 （表面相） 大于临界核尺寸的原子团 （固相） 体积自由能 表面自由能 单位体积自由能 固相体积 单位表面自由能 表面积 上式就是相变热力学的基本公式。 临界核热力学描述 在一定的过冷度下， 固相或液相的自由能比气相的自由能低，气相中形成半径为r的球状固相或液相核时引起体系的自由能的改变为 体相中的均匀成核 相应地，成核功为 衬底上的非均匀成核 假设在基片表面上形成的核是球冠形， 表明沉积物与衬底材料之间的浸润程度。 球冠体积： 球冠面积： 球冠底面积： 界面结合能（粘附功）是指原子团（核）吸附前后体系总的自由能变化ΔGS为： 表面自由能： 体积自由能： 总的自由能变化： 临界核半径： 临界核问题讨论： a.自由能变化与 角的关系 r = r* b.体积自由能与过饱和度的关系 c.临界核半径与 角的关系 临界核半径与 无关。 d.临界核半径与过饱和度的关系 所以: 1. 随着过饱和度的增加(对应于高熔点材料和基片温度很低) 临界半径减小,即小尺寸稳定核大量形成; 2. 当? = 0 ,(完全浸润) , ?G = 0, 成核没有势垒; ? = 180o ,(不浸润), f(? )=1, 成核时,外界面是非激活的 ; 3. 通常, r*与? 有关, 当? 45o 和 50o ? 105o , 原子团将 在阶梯处形成, 对非平坦表面, ?G * 较小. 因此, 阶梯处的 临界核浓度比平坦处大; 4. 气相原子或吸附点有静电荷存在可降低?G * ,使凝聚容 易; 5. 杂质可以增加或阻碍凝聚过程,决定于参杂后?G * 的改变. 临界核、稳定核与薄膜形成 a. 在一定条件下系统达到平衡，小原子团的数目不变。在基片上不能形成稳定的薄膜（淀积一停止，它们将消失）。即，当r r*时, ?G增加, 凝聚不能进行。 b. 要形成稳定薄膜，必须在薄膜表面形成稳定核，即稳定核一旦产生，一般来说就不再分解。 r r*时, ?G减少. 稳定核大小不一，所含原子数目各有不同；其中必然有