[经济学]第八章 pn结二极管.pptVIP

第八章pn结二极管 8.1 pn 结二极管的I-V特性 8.2 pn 结的小信号模型 8.3 产生-复合流（与理想I-V特性的偏离） 8.4 pn 结的击穿 8.5 pn结的瞬态特性 8.6 隧道二极管 8.1 pn 结电流 将二极管电流和器件内部的工作机理，器件参数之间建立定性和定量的关系。 1.定性推导： 分析过程，处理方法 2.定量推导： 建立理想模型-写少子扩散方 程，边界条件-求解少子分布函数-求扩散电流-结果分析。 3.分析实际与理想公式的偏差，造成偏差的原因  1.热平衡状态 3.反向偏置： 势垒高度变高，n型一侧几乎没有电子能越过势垒进入p区，p区一侧有相同数目的电子进入耗尽层扫入n区，形成少子漂移流，同理n区的空穴漂移形成IP，因与少子相关，所以电流很小，又因为少子的漂移与势垒高度无关，所以反向电流与外加电压无关。 8.1.2 理想的电流-电压关系 8.1.2 理想的电流-电压关系 方法步骤： （1）边界条件 （2）扩散方程 （3）求解方程得到少子分布函数表达式 （4）由少子分布函数求出流过pn结的电流 Figure 8.4 扩散方程 Figure 8.8 短二极管 8.2.1 反偏产生电流 反偏时，势垒区电场加强，耗尽层中载流子的 浓度将会下降，低于平衡值，导致耗尽层中电子-空穴的产生，复合中心产生的电子、空穴来不及复合就被强电场扫出势垒区，形成产生电流IG, 因此增大了反向电流 反偏产生流JG的推导 由复合理论得到过剩电子与空穴的复合率的表达式为： 8.2.2正偏复合流 在正向偏压时，耗尽层内的载流子浓度高于其热平衡值，导致耗尽区载流子的复合。而形成正向复合电流JR 总正偏电流 8.2 pn 结的小信号模型 二极管的小信号响应特性：直流（Va）偏置下，加一正弦电压va，流过二极管的电流I+i，此时pn结二极管的小信号特性就会变的非常重要 8.2.1 扩散电阻 pn结的电容 势垒电容C j：形成空间电荷区的电荷随外加电压变化 扩散电容Cd：p-n结两边扩散区中，当加正向偏压时， 有少子的注入，并积累电荷，它也随外 电压而变化.扩散区的电荷数量随外加电 压的变化所产生的电容效应。 8.2.2 小信号导纳 pn结的扩散电容 正向偏置时，多数载流子进入和离开稳态耗尽层引起的结电容和反向偏置时一样。二极管正偏时在耗尽区边界的准中性区内引起少数载流子的积累。随着正向偏压的增加，少子的积累越来越明显。在直流偏压V0，少子分布如图中虚线所示。再加交流小信号，少数载流子就会在直流值附近张落，即va0,（正半周期） 少子积累增加，va0,少子积累减小。随着外加电压的变化，?Q被交替地充电和放电，少子电荷存储量的变化与电压变化量的比值即为扩散电容Cd 8.4 pn结的击穿 当反向电流超过允许的最大值时对应的反向电压的绝对值称为击穿电压VBR 形成反偏pn结击穿的物理机制有齐纳击穿和雪崩击穿 二极管的耗尽层宽度小于10-6cm，轻掺杂一侧的杂质浓度高于1017cm,齐纳过程比较显著，对应的二极管的击穿电压比较小，当VBR4Eg/e,齐纳过程起主导作用。 耗尽层中任一点x处的增量电子电流可表达为： 使倍增因子达到无穷大的电压定义为雪崩电压，即： 8.6 隧道二极管 隧穿效应：量子力学中，势垒比较薄时，粒子能穿过势垒到达另一边。 隧穿发生的两个条件： 1、势垒一边有填充态，另 一边同能级有未填充态 2、势垒宽度小于10-6cm n区和p区都为简并掺杂的pn结称为隧道二极管 n型材料的费米能级进入导带，p型材料的费米能级进入价带 8.5 电荷存储与二极管瞬态 正向时有电流IF流过p-n结；然后开关S接到右边，加一反向偏压，此时通过p-n结的电流并不是立即变为反向饱和电流I0,而是先经过一个较大的恒定反向电流IR阶段，然后再逐渐衰减到I0. p-n结的反向瞬变过程可分为电流恒定和电流衰减两个阶段，相应的瞬变时间分别以ts和tr表示。ts称为存储时间；tr称为下降时间，trr=ts+tr即为反向恢复时间,(它是反向电流衰减到它的最大值的10%所需的时间）它比偏压从正向突变为反向的瞬变时间长的多。 8.5.1 关瞬态 （1）0tts区间pn结保持正偏，（少子积累）即使外加电压达到使它反偏的程度也仍然如此 雪崩击穿 小的反向电压时，载流子穿过耗尽层边加速边碰撞，但传递给晶格的能量少。大的反向电压碰撞使晶格原子“电离”，即引起电子从价带跃迁到导带，从而产生电子空穴对。 雪崩击穿示意图 假设在x=0处，