[工学]9200原理图分析.doc

1、SDRAM工作过程： 启动初始化： 1、同时启动设备核心电源VDD和设备I/O电源VDDQ。声明并维持CKE引脚为高电平（CKE引脚为Clock Enable，时钟使能信号，高电平表示启动内部时钟信号）。 2、等到VDD和VDDQ稳定后并且CKE设为高电平，应用稳定时钟。 3、等待200μs执行空操作命令。 4、precharge：预充电命令。SDRAM执行一条预充电命令后，要执行一条空操作命令，这两个操作会使所有的存储单元进行一次预充电，从而使所有阵列中的器件处于待机状态。引脚A10(=AP? Auto Precharge)可以对预充电的模式进行选择，当A10=LOW时，给单个bank pre-charge,bank由BA0和BA1引脚进行选择；当A10=HIGH时，给所有的bank进行precharge。 5、auto-refresh：自刷新命令。SDRAM要执行两条自刷新命令，每一条刷新命令之后，都需要执行一条空操作命令。这些操作会使SDRAM内部的刷新及计数器进入正常运行状态，以便为SDRAM模式寄存器编程做好准备。 6、load mode register：设置模式寄存器。Mode Register一般被用于定义SDRAM运行的模式，寄存器里一般设置了burst长度，CAS，burst类型，操作模式，还有是设置SDRAM是工作在单个读写操作还是burst操作下。 Mode Register通过LOAD MODE REGISTER命令进行编程，这组信息将会一直保存在Mode Register中直到内存掉电之后才会消失。而这个寄存器的设置也是通过地址线来设置的，所以在发出Load Mode Register命令后要做一个操作是使得在SDRAM的地址线上的值就是你要设置的值。注意！这个操作是8位的操作。Mode Register中的M0-M2是用来定义突发长度（burst length）的,M3定义突发类型(sequential或者interleaved),M4-M6定义CAS延迟,M7和M8定义运行模式，M9定义写入突发模式（write burst mode）,M10和 M11目前保留。Mode Register必须在所有的bank都处于idle状态下才能被载入，在所有初始化工组都进行完毕之前，控制器必须等待一定的时间。在初始化过程中发生了任何非法的操作都可能导致初始化失败从而导致整个计算机系统不能启动。 设置完模式寄存器之后就进入了正常读写操作模式。 SDRAM的基本读写操作 ????? SDRAM的基本读操作需要控制线和地址线相配合地发出一系列命令来完成。先发出BANK激活命令（ACTIVE），并锁存相应的BANK地址（BA0、BA1给出）和行地址（A0～A12给出）。BANK激活命令后必须等待大于tRCD(SDRAM的RAS到CAS的延迟指标)时间后，发出读命令字。CL（CAS延迟值）个工作时钟后，读出数据依次出现在数据总线上。在读操作的最后，要向SDRAM发出预充电（PRECHARGE）命令，以关闭已经激活的页。等待tRP时间（PRECHARGE）命令，以关闭已经激活的页。等待tRP时间（PRECHAREG命令后，相隔tRP时间，才可再次访问该行）后，可以开始下一次的读、写操作。SDRAM的读操作只有突发模式（Burst Mode），突发长度为1、2、4、8可选。 ????? SDRAM的基本写操作也需要控制线和地址线相配合地发出一系列命令来完成。先发出BANK激活命令（ACTIVE），并锁存相应的BANK地址（BA0、BA1给出）和行地址（A0～A12给出）。BANK激活命令后必须等待大于tRCD的时间后，发出写命令字。写命令可以立即写入，需写入数据依次送到DQ（数据线）上。在最后一个数据写入后延迟tWR时间。发出预充电命令，关闭已经激活的页。等待tRP时间后，可以展开下一次操作。写操作可以有突发写和非突发写两种。突发长度同读操作。 SDRAM寻址方式： ????? 由SDRAM的存储结构可以知道，存储器是由bank、column和row三维构成，即如果要读取某个地址的存储数据，要知道它所在的bank和bank上的行号和列号才能真正确定地址。 地址线分时复用：SDRAM的行地址线和列地址线是分时复用的，即地址要分两次送出，先送出行地址，再送出列地址。这样，可以大幅度减少地址线的数目。提高器件的性能。但寻址过程也会因此而变得复杂。实际上，现在的SDRAM一般都以BANK（存储块）为组织，将存储器分成很多独立的小块。由BANK地址线BA控制BANK间的选择，行地址线和列地址线贯穿所有的BANK，每个BANK的数据的宽度和整个存储器的宽度相同，这样，可以降低字线和位线的长度。从而加快数据的存储速度。同时，BA还可