大学物理下18麦克斯韦方程组z.ppt

* 麦克斯韦 方程组 高斯定理 静电场的环路定理 介质中的高斯定理： 这里qi时自由电荷。 电源电动势定义 磁场中的高斯定理： 安培环路定律： 介质中的安培环路定律 B与H的关系： 这里Ic时传导电流。 19世纪中期，对电磁学研究取得了很大的发展，但理论体系并不完善。麦克斯韦分析了当时的电磁学理论结果后，用两个基本假设将电磁学理论统一起来。这两个基本假设就是：涡旋电场和位移电流假设，其基本思想是认为变化的磁场会产生电场，变化的电场也会产生磁场。 一、涡旋电场(10.3) 在电磁感应现象的实验中,当电键 K 闭合时,线圈2中要产生感应电动势， 对这种由于磁感应强度的变化引起的电动势，19世纪60年代，麦克斯韦提出：变化的磁场可以在其周围激发出电场，这个电场就是感应电场也称涡旋电场。 线圈不运动，线圈包围的面积也没有变化，此电势的产生原因不能用洛伦磁力解释？ K 二、感应电场与静电场的区别 静电场 E 感应电场 E感 起源 由静止电荷激发 由变化的磁场激发 电力线形状 电力线为非闭合曲线 电力线为闭合曲线 E感 静电场为散场 感应电场为涡旋场 静电场E 感应电场E感 电场的性质 为保守场作功与路径无关 为非保守场作功与路径有关 静电场为有源场 感应电场为无源场 与静电场相同之处是： 电荷在涡旋电场中受的力也由 E(2)就是电荷处的非静电场。 三、感应电场与变化磁场关系 由法拉第电磁感应定律：回路中的感生电动势为 回路中的磁通量为： 则 如果回路面积不变则有： 变化的磁场产生电场的说明 电荷在电磁场中受力为： 相对于导轨静止的观察者看到金属棒在运动，洛伦磁力作用于电荷。 相对于金属棒静止的观察者，看到磁场在变化，这个观察者测得电荷受力： 相对于金属棒静止的观察者认为电荷受电场力作用 例1：半径为R的圆形区域内磁场均匀分布，当磁感应强度B随时间均匀增加， o R B 解： 由于磁场均匀增加，圆形磁场区域内、外 E 线为一系列同心圆；（没有沿r方向的分量） 求空间的感应电场的分布情况。 1. r R 区域作半径为 r 的环形路径; B与S方向相反， 2. r R 区域作半径为 r 的环形路径; E感 o R B E（2）分布曲线 R E（2） r o o R B 例2：圆形均匀分布的磁场半径为 R，磁场随时间均匀增加， 在磁场中放置一长为 L 的导体棒，求棒中的感生电动势。 L o R B 解：做辅助线 辅助线与导体棒围成的面积内电动势为 辅助线上的涡旋电场方向与辅助线垂直，对电势的贡献为0，上式就是导体棒的电动势。 I 四、电流密度 垂直穿过单位面积的电流强度。 电流强度 I 只能反映导体中总的电流情况，不能反映电流的分布。 1.电流密度定义 电流密度为矢量，方向为导体内该点电场强度方向。穿过导体横截面的电流强度为： 五、位移电流(8.5) I S2 S1 恒定电流取环路 L，对环路张两个任意曲面 S1、 S2，则穿过两个曲面的电流强度相等，由安培环路定理有： 1.位移电流的提出 L I S2 S1 但对于非稳恒电流又如何呢？比如电容器充电过程,当电键 K 闭合时,电源对电容器充电,电路中的电流是变化的,作环路 L, 对 L 也张两个曲面 S1、 S2 ? K L I S2 S1 L I 对于稳恒电流，穿过环路所张任意曲面的电流强度都是相等的。 对 S1 面有电流流过,而 S2 面作在电容器内侧,由于电容器是绝缘的，无电流通过，对S1 面应用安培环路定理： 对 S2 面应用安培环路定理，由于 S2 面无电流通过，则 S2 S1 ? K L 由此看出对于同一个环路 L，由于对环路所张的曲面不同，所得到的结果也不同。 S2 L S1 ? K L 但是电容充电时电流可以写成 如果电容器导体极板上的电荷密度为?,极板面积为S。 把上式代入 I 的表示式 上式表示回路的电流，具有电流的量纲，又与电容器充电时内部电场强度变化联系起来。称位移电流 Id 麦克斯韦认为，当电容器充电时，电容器中的电场发生变化，可等效位移电流 Id ，位移电流在产生磁场的作用上和传导电流相同，这样就可以使电流在通过电容时连续起来。 位移电流密度 4.全电流安培环路定理 全电流 引入全电流后使穿过环路的电流连续起来， 对S1面 对S2面 全电流安培环路定理 ? Id Ic -? S2 L S1 ? K L ? k Id Ic 2.位移电流 Id 与传导电流 Ic 的比较 传导电流 Ic 位移电流 Id 由宏观的电荷移动产生 由变化的电场产生， 无宏观的电荷移动 有热效应 无热效应 可产生涡旋的磁场 可产生涡旋的磁场 B2 例3、设半径为R 的两平行板构成的平板电容器，