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总 复 习 大规模集成电路工艺学VLSI Technology 第一章 绪论 集成电路的发展 晶体管、集成电路、平面工艺... 摩尔定律 特征尺寸 著名代工企业 半导体原理 本征半导体 掺杂半导体 第二章 现代CMOS工艺 集成电路工艺的发展 现代CMOS工艺基本流程 Silicide、Salicide 第三章 晶圆制备 晶体结构 晶格、晶胞 晶面、晶向 多晶、单晶 金刚石结构、闪锌矿结构 晶体缺陷 硅的制备 冶金级硅、电子级硅 晶体生长 CZ、FZ、LEC 晶圆制备 流程、CMP 第四章 污染控制 污染问题 主要污染物、污染引起的问题 污染源 主要污染源 洁净室 晶圆清洗 晶圆表面污染物 颗粒去除 化学清洗、RCA清洗流程 冲洗、烘干 吸杂 概念、方法、原理 第五章 热氧化 SiO2用途 SiO2的主要特性、用途 热氧化机制 干氧化、湿氧化 氧化层的生长 氧化率影响因素 氧化方法 氧化系统 反应炉、氧化源 氧化工艺 流程、工艺循环、RTP、RTO 热氮化 第六章 光刻 概述 光刻目的、图形转移 光刻胶 光刻胶极性、掩模版极性 光刻胶组成、表现要素、物理性质 图形尺寸变化、针孔 光刻工艺流程 步骤 旋转涂胶工艺、光刻机分类 第七章 刻蚀 概述 方向性、选择性 对刻蚀的要求 刻蚀工艺 分类 干法、湿法 改进刻蚀工艺 第八章 掺杂 概述 结的形成、同型掺杂、横向扩散 扩散 概念、扩散模式、主要问题 扩散工艺步骤、预淀积、推进 影响因素、扩散率、固溶率、杂质浓度与深度、扩散源 推进中的杂质再分布 离子注入 概念、优点、缺点 离子注入系统 注入离子的运动、空间分布、晶体损伤和修复 沟道效应、电荷积累、离子注入的应用 第九章 淀积 概述 要求、阶梯覆盖、填充问题 淀积工艺 分类 CVD原理、反应类型、微观过程、分类 分子束外延 PVD原理、蒸发、溅射、比较 薄膜 种类 外延硅、多晶硅、二氧化硅、氮化硅 金属薄膜、铝、铜、隔离层金属、难熔金属 主要薄膜种类的生长工艺 第十章 封装 概述 封装概念、影响封装的芯片特性、功能 封装工艺流程 封装件组成 基本工艺流程、晶圆准备、划片、连线、封装 封装类型 主要封装类型 第十一章 器件集成 概述 器件 电阻、方块电阻、电阻实现方法 电容、影响因素、MOS电容、MiM、PiP 电感 二极管 双极型晶体管 场效应晶体管、PMOS、NMOS 电路集成 电路类型 双极型电路、CMOS电路、BiCMOS、SOI MEMS 第十二章 版图 基本概念 层、分类、MOS管版图 常用版图文件格式、GDSII、CIF 全定制设计、基于标准单元的设计 设计规则、版图验证 主要版图设计和验证工具 设计规则 绝对值设计规则、l设计规则 主要设计规则类型 天线效应、金属密度 版图验证 DRC、ERC、LVS、PEX The End 结束