半导体发展历程.docVIP

半导体发展历程及特性简介 班级：材料0902 学号：1101090214 姓名：贾策能 1 半导体工艺的发展历程  = 1 \* ROMAN I、半导体工艺的发展可追溯到～百年以前，即用硒(硒)做整流时  = 2 \* ROMAN II、1948年，美国贝尔实验室的三位科学家萧克立(w．SchoKley)， 巴定(J．巴丁)和布莱坦(州Brattain)发明了双极性电晶体(双极晶体管)。从此人类步入了飞速发展的电子时代。  = 3 \* ROMAN III、1960年代的电晶体原以锗(锗)电晶体为主，矽(Si)的电晶体遂逐渐取而代之。  = 4 \* ROMAN IV、1958年，贝尔实验室的科学家便利用矽制出矽平面式电晶体  = 5 \* ROMAN V、1970年代，集成电路的制造技术渐渐熟，拥有100个，1000个甚至万个电晶体的集成电路便循序发展成功，而有小型(SSI)， 中型(MSI)，大型(LSI)之别。1970年，英特尔推出第一片DRAM；次年，英特尔推出SRAM和EPROM，和第一片微处理器4004。 2、半导产品类别 目前的半导体产品可分为集成电路、分离式组件、光电半导体等三种。 集成电路(IC)，是将一电路设计，包括线路及电子组件，做在一片硅芯片上，使其具有处理信息的功能， 有体积小、处理信息功能强的特性。依功能可将IC分为四类产品：内存IC、微组件、逻辑IC、模拟IC。 分离式半导体组件，指一般电路设计中与半导体有关的组件。常见的分离式半导体组件有晶体管、二极管、闸流体等。 光电式半导体，指利用半导体中电子与光子的转换效应所设计出之材料与组件。主要产品包括发光组件、受光组件、复合组件和光伏特组件等。 3、半导体导电原理 N型半导体 在纯硅晶体中加了少量的5价元素后，就形成了N型半导体。掺杂加入的5价元素，例如磷原子镶嵌在硅晶体中，磷原子占据了晶体中硅原子的一个位置，磷的5个价电子参与硅中的4个价和运转，尚有1个价电子无价和轨道，这多出的一个电子并不是在外老实呆着，而是稍有机会就混杂进入别的价和运转的轨道中，参与价和运转，扰乱了原硅晶体均匀的速率，使得整个晶体中的价和电子的运转出现了拥挤和等待的紊乱现象。有许多瞬时价和电子因途中紊乱而没有到位，于是晶体中出现了临时性的电子空位(临时性空位在晶体中占有一定概率)，电压波可以乘机传导，电子可以在电压波的引导下乘虚而入，形成电子的定向流动——电流。这样，掺杂5价元素使得硅晶体的导电能力增加，形成了N型半导体。由于N型半导体是掺杂多电子元素使规律运转的核外电子产生运动不均衡,发生混乱所形成的电子空位，而温度上升能加剧核外电子运动的混乱，所以温升能有效地增加N型半导体的导电能力，即N型半导体有较强的热敏性能。 P型半导体　　在硅晶体中加入少量的3价元素后，就形成了P型半导体。 3价元素例如硼，在价和结构中顶替了一个硅原子，因硼外层只有3个价电子，使得与硼相 连的4个结构元中有一个是单电子价和运转，形成了电子空位。与这个单电子结构元相连的6个结构元相继有电子进入补充，形成了更多的电子空位，电压波乘机在电子空位间传导，引导电换位移动形成电流。这样，掺杂３价元素使得硅晶体的导电能力较大地增加，形成了Ｐ型半导体。与单电子结构元相连的6个结构元的外端又连着18个结构元相继有电子进入补充，这样电子空位呈２×３ｎ扩展，也就有更多的结构元有可能呈现电子空位。于是，该晶体的导电能力也呈几何级数增加，所以Ｐ型半导体的导电能力较好。在掺杂比例相等的情况下，P型半导体的导电能力比N型半导体要大上千倍，其实质原因就在于此。P型半导体的电子空位是掺杂物直接带来的，不像N型半导体是由掺杂多出电子造成拥挤、混乱所形成的，所以P型的热敏性能没有N型半导体那么明显。不管是N型还是P型半导体，其导电能力都是由电子空位提供的。电子空位则是由晶体中杂质分布而引起价和电子紊乱运行所致，所出现的电子空位是瞬时的、随机的。这也导致了半导体的“测不准”及温升、热敏、光敏等诸多物理性质。 4、半导体性质  = 1 \* ROMAN I、? 在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质，半导体的导电性能就会成百万倍的增加—-这是半导体最显著、最突出的特性。例如，晶体管就是利用这种特性制成的。  = 2 \* ROMAN II、 当环境温度升高一些时，半导体的导电能力就显著地增加；当环境温度下降一些时，半导体的导电能力就显著地下降。这种特性称为“热敏”，热敏电阻就是利用半导体的这种特性制成的。  = 3 \* ROMAN III、? 当有光线照射在某些半导体时，这些半导体就像导体一样，导电能力很强；当没有光线照射