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创新技术讲座（2）光纤通信新器件研究;一、光子晶体及其在光通信中的应用 ;一、光子晶体及其在光通信中的应用 ;1、光子晶体 ; 高低折射率的材料交替排列形成周期性结 构，产生光子晶体带隙(Band Gap，类似于半 导体中的禁带)。光在晶体带隙中不能传播。;光子晶体的特性;Lin S Y et al Nature 1998, 394, 251;Shen Ping et al Phys. Rev. Lett. 1999，82, 4238;反蛋白结构法;光子晶体的材料有三类：半导体材料、介 质材料、有机聚合物材料。 在实验室和实际应用中，光子晶体都是人为加工得到的。;缺陷态可以是大的空气孔或实心的石英。;光子晶体光纤的横截面由非常微小的孔阵列组成，类似于晶体中的晶格，这也是光子晶体名称的由来。;第二、允许改变纤芯材料，加强光纤的非线性效应。;第三，可灵活地设计色散和色散斜率，提供宽带色散补偿。;波分复用在一根光纤中传输多个信道时，随着光功率增加，会出现交叉相位调制和四波混频等材料的非线性现象，虽然可以通过增加有效面积缓解非线性的影响，但过大的通光口径又不能保证单模运转，限制传统单模光纤向更大容量发展很难逾越的障碍。; 普通单模光纤的纤芯主要成分是二氧化硅，即使尽量降低杂质吸收，但本征吸收和瑞利散射是很难避免的，因而普通光纤能量损耗总是大量存在。 而PCF结构上是中空的，对光波传输损耗极低，有利于长途通信。;虽然普通单模光纤可以避免模式色散，结构色散也可以做得很低，但材料色散却是本征性的，无法避免。它的存在使光脉冲展宽，限制了传输速率。;传统光纤要取得双折射方式有两种：一是使截面非圆形；二是使光纤本身材料具有双折射。这两种方式在技术上都较难实现。;图3给出了理论上设计的高双折射PCF截面示意图。 采用高折射率无孔纤芯，包层周期性多孔的结构。 为了引入双折射，增大了中心附近的2个孔径，并同时减小了这两个孔与其它空的距离。破坏了通常PCF 中的对称结构，而产生了一个延长的芯区结构。;光子晶体光纤商业化产品;3、光子晶体激光器; 选择没有吸收的介电材料制成的光子晶体可以反射从任何方向的入射光，反射率几乎为100％。;5、光子晶体超棱镜;对一般用GaAs(钙、砷)介质作基底的天线反射器，98％的能量完全损耗在基底中，只有2％的能量被发射出去，同时造成基底的发热。;7、微谐振腔;用微谐振腔作为激光器的谐振腔，使激光器中的自发辐射频率落在光子晶体的禁带范围内，就可以有效降低激光振荡的阈值，做出低阈值高效的激光器。;利用光子晶体的带隙特点，可以制造出理想带阻滤波器，获得优良的光波滤波性能。; 用二维光子晶体来制作偏振器，可以在很大的频率范围工作，体积很小，很容易在硅片上集成或直接在硅基上制成。;光子晶体中的缺陷态就像电子半导体中的掺杂，使光子晶体具有很多的功能，通过组合这些功能我们可以在光子晶体上构造出适合需求的集成光路。;在用光子晶体实现光路集成的条件下，光子晶体有可能制成一种体积小、高速、低功率的全光交换机。;光子晶体优良的特性及其在光电子领域巨大的应用潜力，必将推动光通信技术的飞速发展。;在同一硅晶体衬底上将多种微光学元件、微定位器、微致动器和控制电路等单元单片集成在一起构成的微光机电系统； 光学平台微型化； 也称其为MOEMS微光电子机械系统。;MEMS的工艺技术奠定在硅芯片IC的工艺技术基础上。 对传统平面二维光刻技术提出了更高的要求，还出现了独特的三维刻蚀、镂空等技术手段。;2、光开关;商用化的有4x4、8x8、16x16、32x32及2x16光开关模块。 32x32光开关在一块硅基上共集成了1024个微镜，光路最大损耗仅为7dB。 ;Bell实验室在一块硅基上制作64面微镜构成8x8的光开关。 通过两级微绞链控制微镜直立或倒下来改变光路，如图3所示。;原理如图4所示的基于MEMS技术的2x2光开关具有较快的切换时间，切换时间小于0.5ms。 具有不超过1.5dB的插入损耗，寿命可达l0亿次。;3、可变光衰减器;如图5所示，MARS以多层电介质反射镜栈的方式工作，最后一层是控制电极，在顶部电极施加静电压，吸引氮化硅薄膜向衬底移动，使气隙减小，反射镜栈的反射率可由很高(75％)变化到0。;通过静电致动器调节挡光板的位置可在2ms内实现40dB的衰减量。 典型插入损耗仅0.5dB。 工作波长从1240nm至1600nm。 ;在DWDM 系统中，可调谐滤波器是不可缺少的器件。采用光电子技术研制出的器件，由于材料折射率变化有限，其可调谐范围较窄。 利用MEMS技术可以设计和制作出可动F—P腔镜，控制腔镜的位置可获得腔长的变化，以实现对光波长大范围的调谐。;激光器共振腔的腔长由一个MEMS装置来控制，通过改变腔长来