第八讲 - FIB.pptVIP

材料学中常用的分析方法Instrumental Analysis in Materials Science 第八讲 FIB（Focused ion beam） （聚焦离子束技术） 液态金属离子源（LMIS） Dual column  FIB Ion beam assisted deposition  etching in FIB FIB applications: FIB象衬度的形成机制 接收FIB感生的电子、离子，可形成如下的衬度：* 拓扑衬度 当离子束入射到不规则的样品表面时，二次离子、电子的产额依赖于不同部位处离子束的入射角。不同部位处入射角不同，二次电子、离子的产额也不同。低能的二次电子的逃逸距离1-50nm，而二次离子的逃逸距离1nm。因此，二次离子只携带样品浅层表面的信息。这时, 二次电子、离子形成的衬度是拓扑衬度* 成分衬度与SIMS时相似，二次离子的产额取决于表面成分和表面污染层的情况。表面氧化物层的存在，基体成分的相互影响效应，离子束引发的表面化学变化等因素均影响二次离子的产额。这使得二次离子象产生独特的成分衬度。 FIB象衬度的形成与分类* 通道效应衬度 二次电子、离子的产额还依赖于晶体相对于入射束的取向。当入射束方向与低指数方向重合，离子束进入晶体内很长距离才会停下来，即入射离子产生了通道效应。这导致离子与样品表面原子作用几率和表层二次电子产额显著降低，因而显示出通道效应衬度(晶粒衬度)。* 电位衬度 二次电子、离子的能量较低，导致其逃离样品表面的能力取决于表面的电位。离子的速度小，其逃逸能力更小，因而绝缘样品的表面易于形成正电荷积累。绝缘体的不同部位（不同导电率）处积累不同的电位，则二次电子发射几率产生变化，形成电位衬度。 FIM 样品断面分析的步骤 证明了缺陷与基底材料的形貌密切相关，而薄膜的厚度则是均匀的 显示：不同厚度的薄膜中，不仅有柱状晶、织构，且存在晶粒的异常长大 After cutting the film with FIB, the buckle geometry and the discontinuity revealing film stress relaxation. A: Pt保护层, 其下面为厚度10微米的表面腐蚀层 涂层磨损区断面的 FIB 观察 A failure feature within conductive lines: void formation The time difference between the imaging is 2 hours. Void formation results in a failure. FIB section of ink penetration into clay coated paper FIB section of ink penetration into clay coated paper （a）选择区域，沉积Pt 溅射保护层，切割（b）倾斜进行断面观察（c）重复a, b过程（d）使用计算机将2D图象组合为3D图象 Parallel 2D FIB cross-sections indicate pile-up of material (arrow). 为使相邻晶粒显示通道衬度，在两个角度上进行了衬度观察 先倾斜80度做截面切割，然后转回30度，收集截面A的成分分布象。重复如上的过程，逐次获得B, C截面的成分图 By ion beam image of tire debris, internal microstructure was observed, without any preparation Rosette crystal (a) may be cut by FIB (b) and analyzed With FIB, successive slices of material (minimum thickness 50nm) can be removed. EBSD and EDX analysis can construct 3D image of the original microstructure Maps of average misorientation at two nearby sections 3D view in vicinity of a Laves-phase particle. The Laves phase is colored blue. The warm-rolled Fe3Al phase with small mis